[模电]基础知识-二极管及相关电路

1  耗尽区和势垒电压

        P型半导体和N型半导体接触时，P型半导体中的空穴漂移到N区，与一个电子复合，并在P区留下一个带负电的阴离子，同理。N型半导体中的电子漂移到P区，与一个空穴复合，并在N区留下一个带正电的阳离子，形成耗尽区，耗尽区不断变宽，直到能阻止漂移继续进行。留下的阴离子和阳离子出现在结的相对一侧，在耗尽区形成了势垒电压，方向从N区指向P区。这个势垒电压在室温下一般是0.7V（硅管）或0.3V（锗管）。

2  两种工作模式

        正向偏置和反向偏置

        正向偏置：阳极接电源正极，阴极接电源负极；PN结外部电场线从阳极指向阴极，受外部电场形成的电场力作用，阳极中的多子（空穴）向N区移动，N区中的多子（电子）向P区移动，当外部电压所形成的电场强于内部耗尽层形成的内部电场时，即外部电压大于内部势垒电压时，半导体中的多子向固定方向移动，产生由阳极流向阴极的电流，PN结导通 。

        反向偏置：阳极接电源负极，阴极接电源正极；PN结外部电场线从阴极指向阳极，受到外部电场力影响，P区多子（空穴）远离N区移动，留下阴离子，N区多子（电子）远离P区移动，留下阳离子，即耗尽层不断变宽。

3  二极管特性曲线

3.1 理想二极管模型

        正向完全导通，反向完全截止；.

        特性曲线：

3.2 引入正向导通电压的二极管模型

        正向偏置电压超过势垒电压时才会完全导通；反向偏置或正向偏置电压小于势垒电压时完全截止；

        特性曲线：

3.3 实际的二极管模型

        正向偏置电压大于势垒电压时导通，正向电流急剧增大，需要添加限流电阻；反向偏置和正向偏置电压小于势垒电压时不导通，几乎没有电流通过；反向偏置超过一定值时，二极管被击穿，反向电流急剧增大，此时电流急剧变化但是电压几乎不变，可以用于稳压；

特性曲线：

4  二极管构成的相关电路

4.1 半波整流器

        电路图：

        使用标准正弦信号作为输入信号进行分析。输入信号大于0.7V时，二极管导通，Vout=Vin-0.7V；输入信号小于0.7V时，二极管截止，Vout=0；对理想二极管而言，没有导通压降，所以得到的输出信号是只有完整正半周的正弦信号

        输入输出信号图：

4.2 全波整流器（桥式整流器）

        电路图：

        使用标准正弦信号作为输入信号进行分析。输入信号为正半周时，D1、D3导通，D2、D4截止，此时形成的等效电路中，Vin从正极出发，经过D1，到达输出端正极，Vout+=Vin-0.7，输出端负极，经过D3，回到Vin负极，Vin-=Vout- - 0.7，即Vout-=Vin+0.7，即Vout-=0.7，所以，Vout=Vout+ -Vout- =Vin-0.7-0.7；输入信号为负半周时，D2、D4导通，D1、D3截止，此时形成的等效电路中，Vin从负极出发经过D2，到达输出端正极，Vout+=Vin-0.7，输出端负极，经过D4，回到Vin正极，即Vin+=Vout- -0.7，即Vout-=Vin+ -0.7，即Vout-=0.7，所以，Vout=Vout+ -Vout- =Vin-0.7-0.7；对理想二极管而言，没有导通压降，输出信号是正半周不变负半周反转的正弦信号

        Vin>0时，等效电路图：

        Vin<0时，等效电路图：

        注：此时用Vin- = +5V代替Vin+ = -5V，便于分析

Q：为什么确定Vin>0时，D1、D3导通？

A：瞬态分析法：二极管阳极接高电平时导通（D1），阴极接低电平时导通（D3）。

        输入输出信号图：

4.3  半波整流器 VS 全波桥式整流器

        4.3.1  滤波

        半波整流器需要的滤波电容大于全波桥式整流器；相同滤波电容的情况下，半波整流器的纹波大于桥式整流器。

        4.3.2  对器件的要求

        两种电路的二极管对反向耐压的要求都一样，但是桥式整流器需要四个二极管，半波整流器只需要一个二极管。

        还有一种全波整流器，对二极管的反向耐压要求较高，是输入信号的两倍，电路图如下：

        本人对变压器相关知识不了解，因此不做详细介绍，电路名称：全波整流器，感兴趣的朋友可以详细了解。

        

4.4 二极管限幅器

        电路图：

        Vin＞0.7V时，二极管导通，Vout=Vd=0.7V；

        Vin＜0.7V时，二极管截止，Vout=Vin*R1/(R1+R2)≈Vin。

        输入输出信号图：

        

        同理，还有一种二极管限幅器，分析方法相同，在此不再赘述

        电路图：

        输入输出信号图：

        此外，可以在二极管所在支路串联电压源，来达到调节限幅水平的作用；分析方法同上，按照Vin使二极管导通/截止两种状态分析。

        还可以使用两个反向的二极管并联，达到双向限幅的作用。

4.5 二极管钳位器

        电路图：

        Vin＜0时，二极管导通，且输入信号对电容进行充电，充电后电容两端电压为Vp(in)-0.7V左负右正，Vin>0时，二极管截止，Vin和电容提供的直流电压叠加进行输出，输出结果为Vin+[Vp(in)-0.7]，此后，Vin<0时，电容中的电未被放完，就进入了充电状态，所以输出的信号仍然是Vin+[Vp(in)-0.7]。因此，电路稳定工作后，输出信号相当于把输入信号抬高了[Vp(in)-0.7]V

        输入输出信号图：

        此外，还有另一种钳位电路，相当于把输入信号降低了[Vp(in)-0.7]V，分析方法同上

        电路图：

        输入输出信号图：

4.6 注意区别

        注意区别，二极管限幅器vs二极管钳位器

5 特殊用途的二极管

5.1 整流二极管

        最普通的二极管，正向导通电流大，反向耐压高，不易被击穿，可以承受大功率

5.2 稳压二极管/齐纳二极管

        工作在反向击穿区，用于持续提供稳定的电压偏置，是电路中的主动工作器件，是“持续”工作的，功率较低。

5.3 TVS二极管/瞬态抑制二极管

        工作在反向击穿区，用于吸收瞬间的高电压，瞬间将电压钳位在安全水平，响应速度极快，是电路中的被动工作（保护其他电路）器件，大多时候不工作处于高阻态，工作时功率较高

5.5 快恢复二极管

        与普通二极管相比，反向恢复时间较短（截止→导通→截止），可以用于整流

5.6 肖特基二极管

        是金属-半导体结，而不是PN结，正向导通压降更低，可以达到0.2-0,5V，反向恢复时间极短，但是反向耐压较低，反向漏电流较高

5.7 变容二极管        

        利用耗尽层的“电容”特性（将耗尽区两边看做极板，中间为介质），耗尽区的宽度由电压控制，因此可以视作一个由电压控制的电容

5.8 注意区别

        需要注意两组对比：稳压二极管VS瞬态抑制二极管、快恢复二极管VS肖特基二极管