模电-PN结与二极管

一、模拟电路和数字电路

模拟信号：在时间和树枝上均具有连续性，即在任意时刻均有确定的函数值u或i，而且u或i的幅度是连续取值。

数字信号：在时间和数值上均具有离散性，同时具有双值性（双值性是指信号仅有高电平与低电平之分）。

 1.1、模拟电路

处理模拟信号的电子电路称为模拟电路。

1. 放大电路主要完成信号的电压、电流、功率放大。
2. 运算电路主要完成信号的加、减、乘、除、积分、微分、对数和指数等运算。
3. 信号发生电路主要用于产生正弦波、矩阵波、三角波、锯齿波等。
4. 滤波电路用于保留信号中有用频率成分，抑制其它频率成分的信号通过。
5. 直流电源是将工频交流电转换为不同输出电压和电流的直流电。

1.2、 数字电路

处理数字信号的电子电路称为数字电路或逻辑电路。

数字电路主要研究数字信号的存储、变换、测量等, 包括门电路、组合逻辑电路、触发器、时序逻辑电路、半导体存储器、可编程逻辑器件、模数和数模转换电路等。

1.3、 模拟电路与数字电路的区别

1. 在模拟电路中晶体管工作在放大区，在数字电路中晶体管工作在饱和区或截止区，工作在开关状态；
2. 数字电路体积小、便于集成；
3. 模拟电路抗干扰能力较弱，数字电路抗干扰能力较强。

二、半导体基础知识和PN节

2.1、半导体基础知识

按导电能力的不同，物体可分为导体、半导体和绝缘体。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。

半导体材料有硅、锗、硒以及部分金属氧化物和硫化物（半导体主要是指原子最外层有四个价电子的材料）。

在不同条件下半导体材料的导电能力有很大差别（主要是影响半导体材料的载流子浓度）。

• 环境温度，热敏电阻；
• 光照，光敏电阻；
• 掺入微量的某种杂质，导电能力大幅提高。 

2.1.1、本征半导体

本征半导体是完全纯净的、结构完整的半导体。

相邻原子最外层的价电子形成共价键，价电子为两个原子共有，形成有序 的晶体结构。

 本征激发（也称为热激发）：价电子吸收能量（光或热）挣脱共价键的束缚，成为自由电子，产生了电子-空穴对（在温度为0K时，半导体中无自由电子）。

自由电子在运动过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，称为复合。在一定温度下，本征激发和复合达到动态平衡，本征半导体当中自由电子和空穴的浓度会达到温度。

 2.1.2、杂质半导体

1. N型半导体

在本征半导体中，掺入五价元素，如磷P、锑Sb、砷As；

自由电子是多数载流子（多子），空穴是少数载流子（少子），也称电子型半导体。

 2. P型半导体

在本征半导体中，掺入三价元素，如硼B、镓Ga、铟In；

空穴是多数载流子（多子），自由电子是少数载流子（少子），也称空穴型半导体。

 2.2、PN结

2.2.1、PN结的构成

 通过掺杂工艺将P型半导体和N型半导体制作在同一块硅片上。

多子扩散：由浓度差引起多子的扩散运动。自由电子和空穴复合，形成空间电荷区，也叫耗尽层； 少子漂移：少子在空间电荷区内电场作用下的运动；

动态平衡：多子扩散和少子漂移达到动态平衡。

 2.2.2、PN结的单向导电性

1、正向偏置

外电场与内电场的方向相反，内电场阻碍扩散运动，外电场促进扩散运动，空间电荷区变窄。

多子扩散运动加剧，扩散电流；少子漂移运动减弱，漂移电流。

外电路的电流等于扩散电流减去漂移电流。 扩散电流起主导作用，漂移电流较小。PN结正向导通，呈低阻性。

2、反向偏置 

外电场与内电场的方向相同，都阻碍多子的扩散运动，空间电荷区变宽。

阻止多子的扩散运动，扩散电流显著减小； 少子的漂移运动增强，漂移电流（反向电流） 非常小。

PN结反向截止，呈高阻性。

温度一定时，反向电流近似为一定值，称为反向饱和电流。

 2.2.3、PN结的电容效应

当PN结的偏置电压发生变化时，空间电荷区内的电荷量及其两侧载流子的数目均发生变化，与电容器的充放电过程相同，称为PN结的电容效应。

1. 势垒电容

PN结反向偏置时，空间电荷区的宽度随反向偏置电压变化所等效的电容称为势垒电容。

 2. 扩散电容

PN结正向偏置时，非平衡少子的浓度随正向偏置电压变化所等效的电容称为扩散电容。

PN结的结电容为势垒电容和扩散电容之和。结电容一般较小，通常为几皮法至几百皮法。当信号频率较低时，结电容的容抗很大，其作用可以忽略不计； 在信号频率较高时，需要考虑结电容的影响。

2.3、半导体二极管

2.3.1、二极管的结构类型

点接触型：常用于高频检波和小功率整流电路（结面积较小，允许通过的电流和能承受的电压也比较小）；

面接触型：常用于低频整流电路（结面积较大，允许通过的电流和能承受的电压也比较大）；

平面型：常用于集成电路。

2.3.2、二极管的伏安特性

 正向特性：

• 硅二极管开启电压0.5V，锗二极管开启电压0.1V；
• 硅二极管正向导通电压0.6-0.8V，锗二极管正向导通电压0.1-0.3V；

反向特性：

• 小功率硅二极管，Is（反向饱和电流）小于0.1微安；锗二极管，Is（反向饱和电流）为几十微安；
• 不同型号的二极管反向击穿电压差别很大，从几伏到几千伏。

2.3.3、二极管的主要参数

1. 最大整流电流If-二极管长期连续工作时，允许通过二极管的最大正向平均电流。
2. 最大反向工作电压Urm-二极管安全工作室，所能承受的最大反向电压。一般Urm约为反向击穿电压Ubr的一半。
3. 反向电流Ir-一般是指二极管未击穿时的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安级；锗二极管在微安级。IR值越小，二极管单向导电性越好。
4. 最高工作频率fM —二极管工作的上限频率，由PN结的结电容大小决定 。二极管的工作频率超过fM时，单向导电性变差。

2.3.4、二极管基本应用电路

1、整流电路

 2、限幅电路

3、开关电路

2.4、稳压二极管

2.4.1、伏安特性

 稳压二极管外加反向电压增大到反向击穿电压时，稳压二极管反向击穿。如果反向电流在一定范围内，反向击穿特性陡直，几乎平行于纵轴，呈现很好的稳压特性。

2.4.2、主要参数

1. 稳定电压Uz：在规定电流下稳压管的反向击穿电压。
2. 最小稳定工作电流Izmin和最大稳定工作电流Izmax：最小稳定电流时稳压管工作在稳压状态时的最小稳定工作电流。当Iz< Izmin时，稳压 管处于反向截止状态。Izmax是稳压管工作在稳压状态时的最大稳定工作电流。 当Iz > Izmax时，稳压管可能被烧毁。
3. 额定功耗Pzmax：稳压管的额定功耗Pzmax =Uz ╳ Izmax 。由额定功耗可以确定稳压管的最大工作电流 Izmax = Pzmax/Uz。
4. 动态电阻rZ :稳压管工作在稳压区时，稳压管两端电压的变化量与其电流变化量之比， 即rZ =Uz /Iz。rZ 越小，稳压管的稳压性能越好。一般rZ 从几欧至几十欧。
5. 温度系数α:温度系数α表示温度变化1℃时，稳压值Uz的变化量。当UZ<4V 时，齐纳击穿占主导地位，温度系数α为负值；当Uz>7V时，雪崩击穿占主导地位，温度系数α为正值；当UZ在4V-7V之间时，齐纳击穿、崩击穿均有，温度系数近似为零。

2.4.3、稳压电路

 稳压原理:

 2.4.4、限流电阻的确定

已知UImax、UImin、ILmax、ILmin、IZmax、IZmin