闪光法测量高导热碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圆晶中存在的问题

针对4H-SiC和6H-SiC高导热碳化硅圆晶,闪光法测量导热系数普遍偏低。文章分析了误差来源,主要是由于石墨涂层导致的热阻影响。随着涂层厚度增加,测试结果线性下降,影响尤为严重。建议在测试高导热材料时,采用更薄且导热性更好的金属涂层。

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摘要:对于高导热碳化硅(4H-SiC、6H-SiC)圆晶的导热系数测试,目前普遍都采用闪光法,但都存在测试结果偏低的现象。本文基于这种高导热碳化硅特性和闪光法,解释了这种测试误差较大的原因,并通过相关文献报道的测试数据展示了这种误差存在是必然结果,因此不建议采用闪光法测试这种高导热且透明的碳化硅圆晶。

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一、问题的提出

高导热碳化硅圆晶,如4H-SiC和6H-SiC,其显著特征之一是具有类似纯铜的高导热系数,因此导热系数测试是评价这种材料的关键性能指标之一。

对于高导热碳化硅这类固体材料导热系数的测试,目前国内外普遍采用闪光法进行测量࿰

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