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原创 TCAD仿真中解析函数的应用
在这个区域内，元素的最大尺寸为1单位（在x和y方向上）。: 元素的最小尺寸为0.01单位（在x和y方向上），这意味着在这个区域内的网格将不会比这更细。: 使用函数来确定是否需要进一步细化网格。这里的变量是（静电势），当其变化超过0.01时，网格会被细化以捕捉这种变化。最大元素尺寸) = (4, 4, 4)：这设定了网格划分的最大单元尺寸为每个维度4单位。最小元素尺寸。
2024-10-18 19:45:28
766
原创 轻掺杂漏极（LDD）技术
随着特征尺寸的减小，这种注入的掺杂浓度已经增加，对于0.25微米以下的器件，剂量已经高到不能再被称为LDD的程度。轻掺杂漏极（LDD）是一种低能量、低电流的注入工艺，通过该工艺在栅极附近形成浅结，以减少靠近漏极处的垂直电场。对于亚微米MOSFET来说，LDD是必需的，以便抑制热电子效应，这种效应会导致器件退化并影响芯片的可靠性。简而言之，LDD和SDE都是为了改善MOSFET性能而设计的技术，特别是在减小器件尺寸的同时控制热载流子效应方面。随着技术的进步，这些工艺也在不断演进，以适应更精细的制造要求。
2024-09-22 18:03:23
996
原创 半导体制造技术中的沉积和驱入（Deposition and drive-in）过程
图5.35 扩散掺杂工艺流程图5.36 扩散工艺在超浅结深（USJ）上的应用
2024-09-15 17:17:49
519
原创 Sentaurus TCAD的sdevice求解中选择Math求解方法
Math 参数用于求解算法，并且是设备独立的，必须出现在基础的 Math 部分。关键字 Method 用于选择要使用的线性求解器，而关键字 SubMethod 用于选择块分解方法的内部方法。此外，对于小信号分析、噪声和波动分析，使用全导数是必需的。对于MPBC模拟，有一个专用的线性求解器可用于利用迭代求解器ILS的优势，并提高模拟的鲁棒性。通过这些线性求解器的选择和配置，可以针对不同类型的问题和计算环境，实现高效的线性系统求解。通过这些参数的合理设置，可以优化线性求解器的性能，提高计算效率和求解质量。
2024-09-15 16:11:35
1266
原创 一种新型三维电荷平衡自屏蔽隔离技术在高压集成电路中的实验
本文提出并实验验证了一种基于0.35微米双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺平台的新型三维电荷平衡自屏蔽隔离(3-D CSI)技术。该3-D CSI结构通过在高度掺杂的P阱中形成内部N型岛，并在器件本体中引入两个深N阱(DN)区域来实现。P阱、P埋层和P衬底区域中的离子化负电荷与周围DN、N阱以及内部N阱岛区域中的离子化正电荷实现了三维电荷平衡。这项新技术扩大了电平移横向扩散MOSFET(LDMOS)的安全工作区(SOA)，同时增加了导通状态电流。
2024-08-23 10:05:27
738
原创 使用Qg波形快速提取模型参数的新方法以准确捕获SiC MOSFET在不同负载条件下的开关特性
本文提出了一种快速提取模型参数的方法，该方法能够准确捕捉SiC MOSFET在不同负载条件下的开关特性。实验仪器的功率限制使得难以获得高Vds条件下的I-V数据，因此所提出的方法是从Qg波形中提取这些数据。此外，本文提出的方法放弃了传统的C-V曲线拟合，而是拟合了门极上的电荷变化ΔQg与Vds和Vgs的关系曲线来提取模型的电容参数，从而解决了现有模型无法捕捉“米勒斜坡”的问题。本文将模型写入PSPICE，并利用所提出的方法提取模型参数。
2024-08-23 09:58:36
780
原创 一个扩展BSIM3模型的紧凑模型，针对碳化硅功率MOSFETs
这篇论文提出了一种方法，该方法采用了行业标准的BSIM3模型并进行了必要的扩展，以建立一个精确的紧凑型模型，适用于1.2kV的碳化硅（SiC）功率MOSFETs。BSIM3模型被用来描述功率MOSFETs的受控通道部分。与器件制造商提供的模型相比，标准模型在仿真中显示出更高的保真度。鉴于垂直MOSFET结构和SiC的特殊性质，所提出的模型扩展包括热漂移区、体二极管和漏极-栅极电容。考虑热效应的脉冲电流-电压特性、电压依赖电容以及体二极管的瞬态行为被测量，并作为模型参数提取的参考。具体参数提取策略已被提供。
2024-08-12 20:47:14
963
原创 高精度大信号SPICE模型用于碳化硅MOSFET
摘要—本文提供了一种通过简单SPICE模型匹配SiC MOSFET特性的方法。此外，该方法不仅在特性准确性方面与商用SiC SPICE模型相比达到了高度接近的结果，而且还从修改后的BSIM模型中大幅减少了参数的数量。该方法通过一些额外的修正方程很好地表达了第一象限的ID-VDS和ID-VGS曲线。同时，第三象限特性的模型开发，即将一个二极管与一个JFET（结型场效应晶体管）模型相结合，获得了良好的拟合结果。最后，与传统模型相比，R平方值和归一化均方根偏差（RMSD）值得到了显著改善。
2024-08-12 15:32:22
1126
原创 基于准浮动沟道的SPICE模型，用于提高具有多种器件结构的碳化硅MOSFET的建模精度
摘要 - 本工作介绍了一种新颖的准浮动沟道模型，用于精确模拟碳化硅MOSFET在第三象限的行为。所提出的模型旨在克服现有模型的不足，特别是在负VGS偏压下的情况，显著提高了I-V特性的模拟精度。模型的有效性通过与各种结构的商用器件进行广泛的比较得以证明。实验验证突显了所提议模型的优越性，与传统模型相比，均方根误差（RMSE）最大改善了95.6%，总计算时间最大提升了87.5%。
2024-08-12 12:06:36
820
原创 onsemi——现代电力电子器件的基于物理、可扩展SPICE建模方法
高效的电力电子设计依赖于准确且具有预测性的SPICE模型的可用性。本文提出了针对功率电子半导体的新型物理和可扩展的SPICE模型，包括宽禁带器件。这些模型基于工艺和布局参数，通过在SPICE、物理设计和工艺技术之间建立直接联系，实现设计优化。这些模型在技术开发过程中被用作关键设计组件，并用于新产品的推广。
2024-07-31 17:58:50
573
原创 一种提供改进的通道迁移率和高可靠性的SiC沟槽MOSFET概念
这篇题为"A SiC Trench MOSFET concept offering improved channel mobility and high reliability"的研究论文主要关注于一种新型碳化硅(SiC)槽道MOSFET设计的开发和分析。该设计旨在提高通道迁移率和器件可靠性,这些是功率MOSFET性能的关键因素。
2024-07-26 21:04:55
948
原创 在5G/6G应用中实现高性能放大器的建模挑战
本文讨论了在5G/6G应用中实现高性能放大器所面临的建模挑战，尤其是对于GaN HEMT的建模。连续模式放大器，依赖于谐波调谐，在6 GHz以下的宽带宽内展示了其高效率的潜力，并且是5G网络更高频率应用的强有力候选者。然而，这些模型虽然准确，但计算密集且耗时。表格模型代表了另一种极端，其中使用设备测量数据来拟合预定义的数值函数，这种方法完全是经验性的，能够准确反映设备的性能，并且在模拟中更快。
2024-07-06 17:56:08
840
原创 通过混合栅极技术改善p-GaN功率HEMTs的ESD性能
本工作中，首次证明了混合栅极技术在不增加额外面积和寄生效应的前提下，能有效提升p-GaN HEMTs的栅极静电放电(ESD)性能。通过部分替换p-GaN HEMT中的肖特基型栅极金属为欧姆接触型金属，制备了混合栅HEMT（Hyb-HEMT）。基于传输线脉冲（TLP）性能的对比研究，证实了Hyb-HEMT的栅极ESD承受能力提高了约11倍，表明由欧姆接触型金属引入的“放电路径”能有效耗散ESD能量。此外，实验还证明，由于积累电子与注入空穴之间的复合作用，Hyb-HEMT在重复栅极ESD应力作用下更加稳定。
2024-06-26 10:15:38
999
原创 基于TCAD与紧凑模型结合方法探究陷阱对AlGaN/GaN HEMTs功率附加效率及线性度的影响
本文提出了一种新型建模方法，用于分析GaN HEMTs的微波功率性能。通过结合工艺计算机辅助设计（TCAD）物理仿真和电路设计标准的紧凑型陷阱模型，首次直接关联了表面陷阱和缓冲层陷阱与功率附加效率（PAE）及输出功率（Pout）。在TCAD分析陷阱定位的启发下，创建了一个包含RC子网络和非线性缩放函数的新陷阱模型结构。利用基于TCAD的提出的陷阱模型提取，量化了表面陷阱效应，观察到因表面陷阱导致的Pout损失达3dBm，最大功率附加效率（PAEMAX）损失12%。
2024-06-17 16:13:08
1197
原创 统一电荷控制模型与异质结场效应晶体管中的亚阈值电流
一种新的统一分析电荷控制模型被开发出来，用以涵盖异质结场效应晶体管（HFET）中从低于到高于阈值的全部栅极电压范围。该模型基于对二维（2-D）电子气量子化能级的新阐释建立。在低表面电场的极限条件下，该模型可简化为传统的电荷层模型。该模型被用来解释HFET亚阈值区的实验数据，结果显示在非故意掺杂的GaAs缓冲层经过器件制造工艺后，有效受主浓度发生了广泛的变化。
2024-06-12 10:54:25
922
原创 具有P柱中N点区域的超结MOSFET，用于软恢复
在本文中，提出了一种新型的具有P柱中N点区域的超结MOSFET，并进行了实验研究。利用硼和砷扩散速率的差异，通过在P柱注入后植入等剂量的砷和硼，自然形成了N点区域。因此，N柱和P柱之间的电荷平衡条件保持不变，这允许所提出的超结MOSFET的击穿电压不受影响。更重要的是，N点区域增加了位于N点区域下方的P柱的接地电阻，这降低了反向恢复期间非平衡空穴的提取速度。因此，所提出的MOSFET获得了柔软的反向恢复性能。
2024-06-11 17:35:25
1031
原创 0.18微米 BCD 工艺兼容的准垂直功率 DMOS 器件结构参数对 RON,sp 的影响
定义了SGT-QVDMOS的关键结构参数，包括单元间距、栅槽宽度、栅极宽度、氧化层厚度、体区域深度和掺杂浓度等，这些参数对器件的性能有直接影响。
2024-06-11 17:26:53
1012
原创 关于Lambert W函数
Lambert W函数被定义为函数w↦wew的多值逆函数。它在纯数学和应用数学中有许多应用，其中一些在此被简要描述。我们提供了一个关于W函数复数分支的新讨论，一个对所有分支都有效的渐近展开式，一个用于任意精度计算该函数的有效数值程序，以及一种用于包含W的表达式符号积分的方法。
2024-06-11 17:17:05
1154
原创 基于统一二维电子气密度表达式的通用MIS-HEMT紧凑模型
本文提出了一种针对二维电子气（ns）密度和费米能级（E_f）的解析表达式，这些表达式直接依赖于终端偏置，覆盖了强反型、中等反型和亚阈值区域，并且可根据物理参数进行调整。通过与不同器件参数的精确数值解进行比较，验证了该模型的有效性；这些器件的工作区域可能涉及三角阱中最低的两个子带（E0和E1）。基于统一的E_f模型，开发了金属-绝缘体-半导体（MIS）高电子迁移率晶体管（HEMT）的表面势（φs）-基于的漏电流（Ids）模型。
2024-06-08 13:19:35
1202
原创 基于电荷的EPFL HEMT模型
提出了一种面向设计的、基于电荷的模型，专门用于描述AlGaAs/GaAs和AlGaN/GaN高迁移率场效应晶体管（HEMT）的直流工作特性。此模型侧重于物理基础，避免了采用经验参数，提高了模型的物理意义和普适性。
2024-06-08 12:49:16
950
原创 一种用于异质结高电子迁移率晶体管（HEMTs）的紧凑型漏电流模型，其中包括双子带的二维电子气（2DEG）密度解
本文提出了一种针对异质结高电子迁移率晶体管(HEMTs)的二维电子气(2DEG)电荷密度及费米能级(E)的精确显式近似模型。该模型基于量子阱中薛定谔方程与泊松方程的自洽解，考虑了两个关键能级的影响，并由此得出了一种统一适用所有操作区的表面势计算方法。利用表面势，进一步发展出一个单一的漏电流模型，该模型还通过源/漏接触区电阻的半经验公式描述了电流崩塌效应。与数值及实验数据的对比验证了所提模型在所有操作区均能准确表征Ef和漏电流。
2024-06-06 18:00:35
1021
原创 通用高电子迁移率晶体管(HEMT)的差分微变解算方案及分析型模型
这篇论文提出了一种AlGaN/GaN和AlGaAs/GaAs基高电子迁移率晶体管(HEMT)的分析型直流模型。该模型考虑了高栅偏压下势垒层中积累的电荷。为了突破准确高效求解模型的瓶颈问题,作者开发了一种改进的差分微变(DM)显式算法,用于求解物理模型中复杂的超越方程,包括三角势阱中两个重要的子带。与现有基于表面势的分析算法相比,DM算法可以量化高阶分量,得到更精确的解。通过与数值结果和实验数据在广泛工作区域的对比验证,证明了该模型结合DM方法有望成为通用异质结HEMT仿真的合适工具。
2024-06-05 17:30:10
1098
原创 针对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的显式表面电势计算和紧凑电流模型
在本文中,我们提出了一种新的紧凑模型,用于基于费米能级和表面电位的显式解来描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管。该模型计算简单,且在预测表面电位和电流-电压特性方面具有高精度,非常适合电路仿真应用。这种基于表面电位的紧凑模型还考虑了温度依赖的自由载流子迁移率,从而考虑了自加热效应。该模型已经通过数值结果和广泛偏置条件下的测量数据进行了验证。关键词:AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、漏电流、紧凑模型、自热效应。
2024-06-05 10:58:09
1001
原创 Analytical Model（分析模型）和Compact model（紧凑模型）有什么不同
分析模型侧重于理论完整性和精确性，适合深入理解器件工作原理，而紧凑模型则强调实用性和效率，是电路设计和仿真中的关键工具。两者各有优势，适用于不同的研究和设计阶段。
2024-06-04 17:27:05
713
原创 针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN-HEMT)的准物理等效电路模型，包含基板中射频漏电流的温度依赖性
该文章提出了一种针对硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-HEMT）的准物理等效电路模型，旨在模拟基板中的射频漏电流，并考虑了温度的影响。所提议的模型中，考虑了缓冲层与硅基板界面附近电子和空穴的作用以建模射频漏电流。通过技术计算机辅助设计（TCAD）仿真分析了射频漏电的物理机制，发现当漏极电压较高且温度较高时，射频漏电流会增加；这是因为在低受主浓度的缓冲层与硅基板界面处产生了反型层中的电子。
2024-06-02 12:08:49
838
原创 基于物理的分析模型，用于具有场板结构的GaN HEMT的输入、输出及反向电容
该论文提出了一种分析模型，用于描述带有场板结构的常开型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在亚阈值区时的输入、输出及反向电容。此电容模型与现有的输出I-V特性模型相结合，提供了一整套解析方程，将器件的物理设计参数与其电气特性联系起来。该模型通过实验对HEMT的特性进行验证，并且相比于有限元分析（FEA）工具中实现的基于物理的模型，所获得的电容模型复杂度大幅降低，因此更适合于迭代设计优化算法的实施。
2024-05-30 21:58:52
789
原创 基于物理的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的紧凑直流和交流模型
一套针对 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的直流和小信号特性的分析模型被提出。改进了转移电子迁移率模型并开发了一种现象学低场迁移率模型。我们计算了通道电荷，考虑了施主的耗尽和 AlGaN 层中自由电子的贡献。栅源极和栅漏极电容是通过分析获得的，并预测了截止频率。这些模型首次被实现到 HSPICE 模拟器中，用于直流、交流和小信号仿真，并通过实验数据进行了验证。设计并通过 HSPICE 模拟了一个高效的 E 类 GaN HEMT 功率放大器，以验证我们模型的适用性。
2024-05-24 10:15:05
860
原创 氮化镓垂直单极器件的击穿电压与特定导通电阻解析模型
本文提出了垂直氮化镓单极器件的击穿电压设计参数与最小比导通电阻的解析模型。考虑到以往文献中基于蒙特卡洛仿真和实验所得的碰撞电离系数（IIC）之间存在的差异，本文展示了氮化镓器件在穿通和非穿通条件下的雪崩击穿的解析模型，即击穿电压、漂移区掺杂浓度、漂移厚度与临界电场之间的关系，该模型与数值仿真结果显示出高度的准确性。与已报道的实验结果比较表明，来自Baliga的IIC数据具有相对更高的准确性。
2024-05-21 16:28:15
559
原创 新型功率多晶硅/碳化硅异质结隧道晶体管结构的理论与设计
提出了一种新型的4H-碳化硅功率异质结隧道晶体管（4H-SiC power HETT）结构，并通过校准工艺和特性仿真进行了演示。该结构具有低特异导通电阻（RON,sp）1.56 mΩ·cm²、1460 V击穿电压（BV）以及低正向压降（V_F）1.4 V，达到了结势垒肖特基二极管（JBS二极管）的水平。N+型多晶硅（Poly-Si）被用来与4H-SiC外延层形成异质结。由于4H-SiC功率HETT的独特单元结构，单元间距减小到3微米，显著提高了隧道电流密度。
2024-05-16 15:46:28
1000
原创 一种基于电场连续性的高压MOSFET紧凑模型，用于精确表征电容特性
本文提出了一种新的高压MOSFET（HV MOS）紧凑模型，以消除现有模型中过高电容峰值的问题。与现有的改进电容模型方法相比，所提出的模型不再基于内部MOS和漂移区模型之间的电流连续性，而是基于电场连续性，并考虑了由于屏蔽栅（SG）和接触场板（CFP）引起的漂移区的二维效应。引入了一个新的远离SiO2/Si界面的点Ki，并使用点Ki处的静电势ψKi来替代内部漏极电压VK作为内部MOS的漏极电压，用于计算电流和电荷。
2024-05-15 21:00:55
1058
原创 B1506脉冲测试中的孔径
孔径（Aperture Time）是示波器或测量设备中使用的一个术语，指的是在一次测量中，示波器或测量设备对信号进行采样的时间长度。在进行波形捕获或测量时，孔径时间决定了采样的持续时间，从而影响测量的分辨率和准确性。孔径时间的选择取决于测量的具体需求，包括所需的测量精度、速度和噪声水平。在某些应用中，较长的孔径时间可以提高测量的信噪比，但可能会降低测量速度。相反，较短的孔径时间可以提供更快的测量速度，但可能会降低测量的准确性。
2024-05-08 16:50:51
178
原创 GaN HEMT中短沟道效应的建模
在本文中，我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中短沟道效应（SCEs）的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）HEMT模型的物理电荷基础核心，该模型将HEMT视为广义MOSFET。
2024-04-19 16:14:44
1245
原创 基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模
这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法，专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMT）的动态导通电阻（Ron,dy）。为了描述Ron,dy的连续变化，文中提出了一个时间分辨的电子迁移率变化模型（Δµeff模型）。从p-GaN HEMT中提取出物理参数，包括陷阱的活化能和电压加速因子作为模型参数。接着，为了实现对Ron,dy的模拟目标，将提出的Δµeff模型整合到基于表面势能的GaN HEMT高级SPICE模型中。
2024-04-14 21:54:23
1236
原创 基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型
该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异，推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式，并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制，进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是，研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型，该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性，并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。
2024-04-14 20:52:40
1118
原创 适用于W波段GaAs开关设计的可扩展p-i-n二极管建模与参数提取技术
本文介绍了一种针对W波段开关设计的基于毫米波GaAs的p-i-n二极管的可扩展建模与参数提取方法。采用基于晶圆上S参数测量的直接提取法，在无需任何去嵌入测试结构的情况下确定了外在和内在模型参数。在开启和关闭偏压条件下，对于基于GaAs的p-i-n二极管，模拟得到的输入反射系数在整个频率范围内与实测数据吻合良好。应用可扩展归一化规则成功设计了W波段p-i-n二极管开关，并在模拟数据与实测数据之间取得了良好的一致性，从而验证了所提出的模型的准确性。关键词：基于GaAs，p-i-n二极管，开关，W波段。
2024-04-11 21:52:46
715
原创 GaN肖特基势垒二极管（SBD）的多阴极应用建模与参数提取
详细阐述了外在（extrinsic）和内在（intrinsic）模型参数的可扩展规则。这些规则确保了当二极管的阴极数目发生变化时，相关参数能够按照一定的规律进行调整，从而维持模型的有效性和一致性。
2024-04-07 17:17:38
1051
原创 一种简单分析的微波MOSFET参数提取方法
一种针对高频小信号MOSFET模型的简单而精确的参数提取方法被提出，该方法包括与衬底相关的参数以及非互易电容。通过对适用于高频操作的MOSFET等效电路提出的线性回归方法进行S参数分析，直接提取每个参数。所提取的结果具有物理意义，并且在无需任何优化的情况下，等效电路的仿真结果与测量数据之间取得了良好的一致性。此外，如栅源电容Cgs和漏源电容Cds等提取出的参数与直流测量值非常吻合。关键词：CMOS、建模、参数提取、微波、小信号等效电路。
2024-04-01 16:11:54
1003
2024年第36届国际功率半导体器件与集成电路研讨会（ISPSD）会议录，2024年6月2日至6日，德国不来梅
2024-06-26
IEDM 国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting）2023
2023-12-16
ISPSD 2023年会议论文
2023-07-27
'Vocab' object has no attribute 'stoi'
2022-11-05
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