weixin_45293089的博客

原创 服务器VNC软件与服务器中Sentaurus TCAD软件相关问题汇总（持续更新中）

记录一些平时会遇到的问题

原创 GaN HEMT中短沟道效应的建模

在本文中，我们提出了一种用于估算GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）器件中短沟道效应（SCEs）的显式和解析的基于电荷的模型。该模型源自洛桑联邦理工学院（École Polytechnique Fédérale de Lausanne，EPFL）HEMT模型的物理电荷基础核心，该模型将HEMT视为广义MOSFET。

原创 基于物理原理的p-GaN HEMT动态导通电阻SPICE建模

这封快报介绍了一种新型基于物理学原理的SPICE建模方法，专门针对氮化镓基p型门极高电子迁移率晶体管（p-GaN HEMT）的动态导通电阻（Ron,dy）。为了描述Ron,dy的连续变化，文中提出了一个时间分辨的电子迁移率变化模型（Δµeff模型）。从p-GaN HEMT中提取出物理参数，包括陷阱的活化能和电压加速因子作为模型参数。接着，为了实现对Ron,dy的模拟目标，将提出的Δµeff模型整合到基于表面势能的GaN HEMT高级SPICE模型中。

原创 基于表面势的增强型p-GaN HEMT器件模型

该模型通过对比分析耗尽型GaN HEMT和增强型p-GaN HEMT的器件结构差异，推导出了描述p-GaN栅结构电压变化的解析公式，并充分考虑了p-GaN栅层的掺杂效应及其物理机制，进一步推导出了栅极电容和栅极电流的解析表达式。文章的结论是，研究团队成功建立了一套基于表面势计算方法的增强型p-GaN HEMT器件模型，该模型综合考虑了p-GaN层的掺杂效应以及肖特基金属/p-GaN结、p-GaN/AlGaN/GaN结构的物理特性，并在此基础上推导出了有关p-GaN栅结构的关键电压解析公式。

原创 适用于W波段GaAs开关设计的可扩展p-i-n二极管建模与参数提取技术

本文介绍了一种针对W波段开关设计的基于毫米波GaAs的p-i-n二极管的可扩展建模与参数提取方法。采用基于晶圆上S参数测量的直接提取法，在无需任何去嵌入测试结构的情况下确定了外在和内在模型参数。在开启和关闭偏压条件下，对于基于GaAs的p-i-n二极管，模拟得到的输入反射系数在整个频率范围内与实测数据吻合良好。应用可扩展归一化规则成功设计了W波段p-i-n二极管开关，并在模拟数据与实测数据之间取得了良好的一致性，从而验证了所提出的模型的准确性。关键词：基于GaAs，p-i-n二极管，开关，W波段。

原创 GaN肖特基势垒二极管（SBD）的多阴极应用建模与参数提取

详细阐述了外在（extrinsic）和内在（intrinsic）模型参数的可扩展规则。这些规则确保了当二极管的阴极数目发生变化时，相关参数能够按照一定的规律进行调整，从而维持模型的有效性和一致性。

原创 一种简单分析的微波MOSFET参数提取方法

一种针对高频小信号MOSFET模型的简单而精确的参数提取方法被提出，该方法包括与衬底相关的参数以及非互易电容。通过对适用于高频操作的MOSFET等效电路提出的线性回归方法进行S参数分析，直接提取每个参数。所提取的结果具有物理意义，并且在无需任何优化的情况下，等效电路的仿真结果与测量数据之间取得了良好的一致性。此外，如栅源电容Cgs​和漏源电容Cds​等提取出的参数与直流测量值非常吻合。关键词：CMOS、建模、参数提取、微波、小信号等效电路。

原创 常关型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT作为片上电容器的建模与分析

提出了一种精确基于物理的解析模型，用于描述p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅电容。该模型在形成泊松方程时考虑了p-GaN帽层中受主的不完全离子化以及Mg受主向AlGaN势垒层的外扩散，该方程与AlGaN/GaN量子阱中的电荷方程一起求解。该模型在宽偏置范围内得到了验证，与实验结果显示出良好的一致性。还使用该模型分析了单个设备参数对电容-电压（C-V）特性的影响。此外还提出了一个简化等效电路模型，以直观解释这些通常关断型器件的C-V特性。

原创 鲁棒的基于表面势的GaN HEMT集成电路紧凑模型

综上所述，文章提出了一种基于表面势的新型GaN HEMT紧凑模型，该模型在精度、正确物理行为以及模型收敛性方面都表现出了优越性能，为GaN HEMT基集成电路的精确和鲁棒设计提供了有力支持。

原创 Sentaurus TCAD中SDE的mtt命令

在这三个接触面中，gate和 substrate 接触镜像反射轴，在反射后会被延伸，并保持原有的名称不变。原始结构（左侧）经过一次镜像反射。区域“R.Substrate”由一个简单连通的部分组成，反射部分与原始部分合并在一起。若反射部分与原始部分不是简单连接的（也就是说，它们形成了两个分离的区域），则反射部分的名称会被赋予_mirrored（参见图1）。通常情况下，如果原始部分与反射部分是简单连接的，则经过反射的区域会与原始区域合并，并接收原始区域名称。

原创 分析基于解析物理模型的E模式p沟道GaN高电子迁移率晶体管（H-FETs）

随着近期对用于GaN互补技术集成电路（ICs）开发的p沟道GaN器件研究兴趣的激增，一套全面的模型对于加速器件设计至关重要。本文提出了一种解析模型，用于理解GaN p沟道场效应晶体管（p-FET）的电流-电压（I-V）特性。该模型基于基于物理的静电学表达式，自洽求解薛定谔-泊松方程，并结合费米-狄拉克统计以及二维电子气（2DHG）的二维态密度（2D-DOS）。此外，该模型还利用漂移-扩散机制来描述空穴传输，并通过涵盖增强模式和耗尽模式GaN p-FET的实验数据进行了验证。

原创 GaN HEMTs在电力电子应用中的交叉耦合与基板电容分析与建模

本文提出了一种考虑了基板电容与场板之间交叉耦合效应的场板AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)电容模型。通过进行TCAD模拟，分析了这两种贡献，并基于现有的基于表面势模型给出了与交叉耦合和基板电容对应的电量的解析表达式。通过对测试电路采用混合模式仿真设置下的时域波形进行比较，验证了该模型化结果的准确性，并讨论了交叉耦合和基板电容对模型预测开关瞬态特性精度的影响。关键词：电容、交叉耦合、GaN HEMTs、混合模式、基板、开关。

原创 双场板功率型GaN HEMT中用于精确开关行为的电容建模

本文提出了一种基于表面电势的紧凑模型，用于描述具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电容特性。在HEMT中引入FP可以改善击穿电压、降低栅极漏电流等性能，但同时也会影响器件的电容性质，特别是在亚阈值工作区域产生栅极与漏极之间的反馈米勒电容以及漏极与源极之间的电容，从而影响开关特性。本文建立的终端电容随偏压变化的模型中，用于推导电容所需的内在电荷表达式是基于物理原理且解析形式的，并适用于器件所有工作区域。

原创 射频中的Pout与PAE

在射频（RF）领域中，Pout代表“输出功率”(Output Power)，它是指射频电路或射频设备（如发射机、放大器等）向空间或通过天线辐射出去的无线电频率信号的功率。例如，在基站发射机或无线通信系统中，Pout指的是基站发出的有效射频信号功率。它是衡量射频功率放大器性能的一个关键指标，表示的是射频输出功率与直流电源输入功率之间的有效能量转换效率。此外，在非线性系统中，特别是在饱和状态下工作的射频功率放大器，其输出功率可能与输入功率的关系更为复杂，并且依赖于具体的放大器模型和工作条件。

原创 晶圆上特性表征

1.IV、CV、脉冲/动态IV范围为2.器件、材料、半导体、有源/无源元件的评估3.多频率下的交流电容测量4.NBTI/PBTI，电荷泵送，电迁移，热载流子注入，TDDB，5.脉冲IV测量最小，具有2ns上升和下降时间，具有1us当前测量分辨率。

原创 GaN建模：强大但富有挑战性

这篇文章主要研究了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMTs）的建模问题。GaN HEMTs是微波频段高功率发射器设计中的关键技术，它们具有高击穿电压能力、高电流能力和良好的热导率，这使得它们在功率密度上比基于砷化镓（GaAs）的设备有了显著提升。文章讨论了GaN HEMTs在高频高功率操作中的独特行为，特别是陷阱效应和电流膝部崩溃，这些效应在GaN器件中比GaAs基HEMTs更为显著。文章的重点在于提高GaN HEMTs的非线性模型的准确性，以便更好地利用这些器件在高效率和高功率操作方面的性能优势。

原创 高温应用中GaN HEMT大信号建模的ASM-HEMT

本文报道了一种用于模拟高温环境下氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）的温度依赖性ASM-HEMT模型。我们对标准ASM-HEMT模型进行了改进，以准确捕捉在不同热板温度下收集到的直流和射频测量数据。文中报告了多个验证模型有效性的结果，包括直流-电压、脉冲-电压、散射参数以及负载牵引测量等。然后，利用该模型将GaN HEMT的性能外推至其验证时工作温度的两倍。这项研究对于理解和模拟高温环境应用中的GaN HEMT具有实用性。关键词：氮化镓、高电子迁移率晶体管、高温、ASM-HEMT、负载牵引。

原创 ASM-HEMT模型中的射频参数提取

通过使用正确的寄生网络，可以从测量数据和Y参数的虚部中观察到栅源、栅漏和漏源电容。第三层则是源通孔、栅极和漏极汇流条的寄生元件。第三层的寄生效应可以通过集总元件网络建模，也可以直接使用电磁仿真得到的S2P文件对该区域进行建模。接下来，针对Cgd随Vds特性的调整，可以使用CGDL参数控制Cgd随着Vds增加而减小的情况。小信号gm和gds在不同偏置条件下的表现直接来源于已建模的I-V特性，在低频情况下能较准确地接近实测数据。在更高频率下，由于自热导致的gm和gds的频率依赖性可以通过CTH0参数进行调整。

原创 一种新型的AlGaN/GaN HEMTs小信号建模与参数提取方法

摘要本文提出了一种新型的用于GaN HEMTs（氮化镓高电子迁移率晶体管）的小信号等效电路，包含20个元件，并相应地开发了一种直接提取方法。与基于GaAs的传统16元件HEMT小信号模型（SSM）相比，新模型考虑了两个额外的寄生分布式电极间外在电容以及两个附加反馈内在电阻。通过对宽频率和偏置范围内的模拟小信号S参数与实测数据进行对比验证了该新型GaN HEMTs建模方法。关键词：GaN HEMT；建模；参数提取；误差分析。

原创 一种确定FET小信号等效电路的新方法

摘要 - 提出了一种确定FET（场效应晶体管）小信号等效电路的新方法。该方法包括在低频段直接测定器件的外在和内在小信号参数。这种方法快速且精确，所确定的等效电路能够很好地拟合S参数直至26.5 GHz的频率范围。

原创 使用单一ASM-HEMT模型实现从X波段到Ka波段精确的GaN HEMT非线性仿真

摘要：本文首次研究了ASM-HEMT模型在宽频带范围内的大信号准确性。在10、20和30 GHz的频率下，通过测量和模拟功率扫描进行了比较。在相同的频率范围内，还比较了负载牵引测量和模拟。单一ASM-HEMT模型的大信号模拟与所有功率测量结果表现出极好的一致性。关键词：GaN, HEMT, 非线性建模, ASM-HEMT, X波段, Ka波段。

原创 Verilog和Verilog-A有什么区别

是 Verilog的扩展，专门用于建模和仿真模拟电路。它提供了描述和仿真模拟电路的能力，包括模拟器件、模拟信号和连续时间行为。Verilog-A广泛用于模拟电路设计、射频电路、模拟-数字混合设计和系统级建模。是一种硬件描述语言，广泛用于数字电路的设计、验证和仿真。Verilog和Verilog-A是两种互补的硬件描述语言，可以用于设计和仿真完整的电子系统。Verilog用于数字电路，而Verilog-A用于模拟电路。Verilog和Verilog-A都是硬件描述语言，用于设计和仿真电子系统。

原创 双场板功率GaN HEMT电容模型以精确模拟开关行为

本文提出了一种基于表面电位的紧凑模型，用于模拟具有栅极和源极场板（FP）结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的电容特性。在HEMT中加入FP结构可以提高击穿电压、减少栅极漏电等，但也会影响器件的电容特性，特别是在亚阈值区域，栅极和漏极之间以及漏极和源极之间会出现反馈米勒电容，从而影响开关特性。本文中，我们模拟了终端电容的偏置依赖性，其中用于电容推导的固有电荷表达式是基于分析和物理性质的，并且适用于器件操作的所有区域。所提出的模型在Verilog-A中实现，并在不同温度下与测量数据非常吻合。

原创 ASM-HEMT参数提取和模型验证测试

DC模型参数提取流程对于ASM-GaN-HEMT模型可以总结在下图中。上述步骤完成了ASM-GaN-HEMT模型在室温下的直流参数提取流程。对于模拟其他温度下的直流I-V特性，该模型中已实现了对关键模型参数的温度缩放方程。通过使用这些温度参数，可以在多种温度下模拟直流I-V特性。

原创 ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导

ASM-HEMT模型中漏极电流公式推导

原创 用ASM HEMT模型提取GaN器件的参数

该模型的核心是对表面势（ψ）及其随施加的栅极电压（V）和漏极电压（V）变化的解析建模。在考虑了真实器件效应（如速度饱和、DIBL、迁移率退化、通道长度调制CLM，参见图1）之后，固有栅极电荷（Q）和漏极电荷（Q）以及漏极电流（I）的表达式以公式1至3的形式书写。

原创 半导体材料的特性对比

原创 关于FET等效电路电容模型中的能量非守恒问题

摘要——本文回答了长期以来关于如何在场效应晶体管（FET）等效电路模型中非互易电容形式与能量守恒原理之间达成调和的问题。通过对模拟和测量数据的观察可知，C(v)矩阵的非互易性并非源于能量非保守电容系统，而是由于使用标准π等效电路拟合测量所得的Y参数而导致的附带效应。在本文中，我们展示了在FET的局部空间点上用于表示其沟道的导电和电容元件如何因Y参数的公式化而在外部混合在一起。因此，从FET等效电路模型提取的非线性电容并非应遵循能量守恒原理的实际电容元件。

原创 GaN RF CMC 模型 (IC-CAP)

GaN RF提取项目提供了一个初始的提取示例流程，以便您可以了解GaN模型的提取。这些项目和工具具有灵活性，可以轻松自定义以实现特定工艺技术的最佳准确性。提取流程是一个逐步手动过程，需要对模型及其参数有一定的了解。准备设置并加载测量数据。通过设置一些重要的变量（名称、工作目录等）来定义项目。初始化参数，包括已知的工艺和布局信息。执行逐步提取（这取决于模型）。最后，保存结果。IC-CAP软件学习交流群：941219939，欢迎进群学习讨论。

原创 基于深度学习的ASM-HEMT I-V参数提取

摘要 — 首次提出了一种快速而准确的基于深度学习（DL）的ASM-HEMT I-V模型参数提取方法。DL基于提取从蒙特卡洛模拟生成的120k个训练数据集，包含3.74亿个I-V数据点。训练数据集通过蒙特卡洛模拟生成。通过典型的GaN制造过程成功建模了114个GaN HEMTs。预测的参数与I-V数据非常吻合。此外，关键电气参数（如截至电压、线性条件电流和最大电流）的均方根误差分别为2.2%、17.6%和2.4%。该方法已经验证适用于不同尺寸的多个GaN HEMTs。

原创 ASM-HEMT射频建模

ASM-HEMT是指用于氮化镓高迁移率电子晶体管的先进SPICE模型。该模型于2018年由紧凑模型委员会（CMC）进行了标准化。ASM-HEMT模型涵盖了氮化镓器件在射频（RF）和功率电子应用中的应用。模型手册提供了模型方程和模型参数的详细描述。

原创 PathWave Device Modeling (IC-CAP) 建模系统——IC-CAP概述

PathWave Device Modeling（IC-CAP）建模系统用于测量半导体器件并分析器件的电路建模特性以及分析所得数据。下图显示了PathWave Device Modeling（IC-CAP）的全局配置。

原创 IC-CAP器件建模软件ASM HEMT例子中README翻译

常规信息!!GaN_ModelingGUI() 是位于 IC-CAP 中的一个中心函数，它打开一个 PlotOptimizer 和一个与逗号或逗号空格分隔的相关的 MultiPlot。!- 列表中包含单独的 Plot（但没有 MultiPlot），!- 以及一个参数或变量的列表。!例如：Plots = ‘id_vg, gm_vg’!!==> 关于如何在您的 PEL 环境中使用此功能的详细信息!

原创 ASM GaN: 行业硅基氮化镓射频和功率设备标准模型—第一部分：直流、CV和射频模型

本文介绍了GaN（氮化镓）HEMT（高电子迁移率晶体管）的先进SPICE模型（ASM GaN）的最新发展。ASM GaN模型最近被选为GaN射频（RF）和功率器件的工业标准紧凑模型。本文介绍了该模型中的核心表面电势计算和真实器件效应建模。我们讨论了非线性通道区模型的细节，并对包括对垒厚度物理依赖性的增强进行了介绍。我们还介绍了可配置场板建模的新颖模型特性，并讨论了相应的提取过程。还展示了在高频和增强模式GaN功率器件上使用ASM GaN模型的新结果。

原创 GaN HEMT的大信号（RF PA）性能

使用 TCAD 提取的 I-V 和 C-V 曲线族，结合 Keysight 的 IC-CAP 器件建模套件和先进SPICE模型用于高电子迁移率晶体管 (ASMHEMT) 模型卡，提取 HEMT 模型卡。此外，模型卡提取的 S 参数也与 TCAD 提取的 S 参数相匹配。完成直流、C-V 和 S 参数匹配后，使用 Keysight 的 Advanced Design System (ADS) 对工作于 AB 类偏置的功率放大器进行负载拉动模拟。

原创 米勒平台和米勒斜坡（Miller plateau/ramp）

原创 在金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管中同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性

对于增强型GaN功率晶体管的发展，栅压摆幅和阈值电压稳定性通常是互相排斥的。本文展示了一种具有内置p-GaN电位稳定器(PPS)的金属/绝缘体/p-GaN栅极高电子迁移率晶体管(MIP-HEMT)，能够同时实现大的栅压摆幅和增强的阈值电压稳定性。MIP栅结构将栅压摆幅扩大到19.5V，并作为一个交流耦合电容器（常用于栅驱动器中，以加快欧姆型p-GaN栅极高电子迁移率晶体管的开关速度）。PPS由两个D型HEMT并联在金属栅和p-GaN栅之间组成。

原创 基于物理的AlGaN/GaN HEMT器件2DEG电荷密度分析模型（文献阅读）

摘要—在本文中，我们提出了一个基于物理的解析模型，用于描述AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的二维电子气密度ns。所提出的模型考虑了费米能级Ef和ns之间的相互依赖关系。该模型通过考虑Ef、第一能带E0、第二能带E1以及ns随着栅极电压Vg的变化而进行了建模。所提出的模型与数值计算非常吻合。关键词—AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT），解析模型，二维电子气（2DEG）电荷密度。

原创 SiC MOSFET体二极管双极性退化及电流密度影响的研究

摘要-双极退化在使用双极操作模式的4H-SiC器件中仍然是一个需要考虑的关键问题。在4H-SiC器件中，由于复合引起的堆垛故障（SFs）的产生和扩展会导致正向电压漂移，这在文献中已被广泛讨论。本研究中，对1.2 kV SiC MOSFET体二极管施加不同电流密度的应力，以调查晶体诱导的电压漂移（如由堆垛故障（SFs）引起的双极退化）、来自预存在的基面位错（BPDs）或转化点的扩展的影响。此外，由于高浪涌电流应力，不可避免地会发生热力学故障（栅氧化物损伤、正面金属化降解、焊线跟踪裂纹和剥离）。

原创 一种新的基于物理的AlGaN/GaN HFET紧凑模型

摘要 - 针对AlGaN/GaN HFET，提出了一种无拟合参数的物理解析模型。对于非饱和操作，建立了两个接入区和栅极下方I-V特性的非线性分析模型。所得方程通过边界处的电压和电流连续性连接在一起。证明了该模型与商业模拟器ATLAS的相应模拟之间的良好一致性。此外，所提出的模型与流行的HFET操作曲线拟合模型相比是有利的。索引术语 - HEMT，建模，电阻。