三极管和晶体管原理相关

一、结型场效应管PNP
1、在一个固定的Ugs电压下：
①Uds < Ugs(off) - Ugs 可变电阻区
②Uds = Ugs(off) - Ugs 预夹断
③Uds > Ugs(off) - Ugs 恒流区

而随着|Ugs|越大，则可变电阻区的电阻就越大，恒流区的电流越小，击穿电压越小，当 Ugs = Ugs(off)时，则电流为0，出现夹断现象。

2、转移特性曲线

随着|Ugs|增大，工作在恒流区时的电流越小，当增大到|Ugs| = |Ugs(off)|时出现夹断现象，此时电流为0。
注：Ugs(off)为夹断电压
二、绝缘栅型场效应管
1、N沟道增强型场效应管
注：Ugs(th)为开启电压
在Ugs为大于Ugs(th)的某个确定值时
①当Uds < Ugs - Ugs(th)时，为可变电阻区，即随着Uds的增大Ids增大，其比值保持基本不变
②当Uds = Ugs - Ugs(th)时，预夹断点
③当Uds > Ugs - Ugs(th)时，恒流区，对于确定的Ugs就有相应的恒流电流Ids，且Ugs越大，Ids越大
④当Uds超过某个值时会发生击穿，这个极限值称为击穿电压
注：对于MOSFET的分析来说，需要确定两个值分别是Ugs和Uds，Ugs决定是处于开启状态或者关闭状态以及当管子处于开启状态时可变电阻、恒流和击穿电压的大小，Uds的大小决定了当前开启的管子处于可变电阻区、恒流区还是击穿区
2、N沟道耗尽型场效应管
3、P沟道增强型场效应管
4、P沟道耗尽型场效应管