两种:结型场效应管、绝缘栅型场效应管(常用)
绝缘栅型场效应管
产生时间比较晚,1962年,mosfet,在此基础上又造出了cmos
N沟道增强型mos管
结构:
栅极跟谁都绝缘
工作原理:
n附近是pn结,不是二氧化硅
uds=0时
在外加电场的作用下,空穴受到电场力的作用向下移动,产生了耗尽层
同时自由电子吸上去了,形成了b图,使得sd之间打通了,形成了n沟道
gs之间的电压不变,ds之间的电阻不变,则得到了gs电压控制的ds之间的电阻
怎么让ds之间产生电流呢,加电压就行了
时沟道开始形成
此时分析ugs>ugs(th)时,保持ugs不变,增加uds之间的电压
最开始的时候一定是这样,这个斜率对应某一个固定的ugs
随着uds的增大,会产生下图的现象
不会出现没有电流的情况,没电流没压降了,又会自动打开
随着加大就会恒流 ,增加的电压抵押增大的电阻
这里的电流的大小只和ugs相关了,ugs2>ugs1
ugs>ugs(th)才能导通,所以叫增强型
箭头是指向n的,所以n沟道就是指里面,p沟道就是指外面
n沟道耗尽型mos管:
在二氧化硅里加入一堆正电荷,使它天生就产生电场
此时,ugs加正向电压就会使沟道变大,加反向电压就会使沟道变小,反向电压加到多少就会使沟道没有呢,加到ugs(off)(负电压)的时候就没有沟道了
这个天生就形成了,所以不是虚线