【模拟电路】对BJT的Ib为什么能控制Ic的一点思考和臆测

首先声明一下，本人并非专门研究模电、晶体管原理的学者，如有纰漏或勘误，还请大佬指正、轻喷。

这是我读《模拟电子技术基础》（第五版）的第三次，觉得曾经的一些晦涩的概念渐渐明了，真是印证了那句“书读百遍，其义自见”。

记得这个知识点是在大一的模电课堂里面老师提过的，谈到饱和区和放大区，老师当时讲了当Uce增加到一定程度时，Uce的增加对Ice的增大影响不大，这个时候只能增加Ib来增大Ice。当时给的理由是说集电结的电场已经足够强，可以将发射区的绝大部分非平衡少子都收集到集电区，因此再增大Uce，ic也不会明显增大了。

那时大一的我，听得一愣一愣的，那Ib提供的载流子也是十分有限的，凭什么它一增加，Ic就可以增大很多呢？

虽然我现在也没有详细了解，但我总归能给出一点像样的解释了：

拿NPN举例吧，当Uce增大到一定程度，集电极的耗尽层会被增大，发射极的耗尽层会被减小，当耗尽层被增大到足够大时，将会妨碍载流子经过耗尽层，从而再增大Uce，Ic增大不明显。

那为什么增大Ib，会使得Ic增加呢，因为增大Ib使得B的电势被抬高，有效遏制了集电极的耗尽层的增长，所以这个时候CE间可以经过更多的载流子，体现出Ib对Ic的控制作用。