（整活）STM32H7在内电层连通良好的情况下,去耦电容的必要性测试

芯片是STM32H750XBH6

电源为电脑5V电源经过SY8089转为3.3V供VDD,3.3V再经过SY8089转为2.4V(其实是想1.8V,电阻配错就2.4V了)供VDDLDO

六层板,两层内电层3V3和GND,VDDLDO直接走线

H750在没有任何外围阻容的情况下,可以直接烧录并且开始调试,但调试毫无意义,直接进bootloader了

于是焊上两个10k电阻,一个配置boot0低电平,运行用户代码,一个连PDR_ON关闭电源监视器,顺便把外部8M晶振也焊上了

这样烧录进去的用户代码就可以运行了,用户代码直接是HSE跑到480M。

当然无法正常运行，甚至无法再次烧录，烧录报错无法复位内核。没有任何电容的情况下强行拉480M对于单片机确实是压力过大了，示波器打了一圈，发现是VCAP纹波过大，1.2V纹波足足有300mV，没有供电全是纹波。

三路VCAP，按照手册每一路需要并联两个2.2uF，我这里给每一路一个2.2uF。

按照手册，整个芯片正常工作一共需要至少31（随便算了下可能有误）个电容。现在已经有三个2.2uF，优势在我，480M跑起。

结果是，成功了。内核跑到了480M，初始化之后跑了TIM1三路PWM，有输出，调试也可以进，单步走也没问题。单片机3.3V处纹波为12mV。

由此可见，内电层非常可靠，即便去除大部分去耦电容单片机都可以运行。但是如果外设运行比较多，高频输出增多，没有电容可能会导致供电不及时拉死内核。所以这个实验不能证明去耦电容是无意义的，只是整个活。104越多bug越少