芯片是STM32H750XBH6
电源为电脑5V电源经过SY8089转为3.3V供VDD,3.3V再经过SY8089转为2.4V(其实是想1.8V,电阻配错就2.4V了)供VDDLDO
六层板,两层内电层3V3和GND,VDDLDO直接走线
H750在没有任何外围阻容的情况下,可以直接烧录并且开始调试,但调试毫无意义,直接进bootloader了
于是焊上两个10k电阻,一个配置boot0低电平,运行用户代码,一个连PDR_ON关闭电源监视器,顺便把外部8M晶振也焊上了
这样烧录进去的用户代码就可以运行了,用户代码直接是HSE跑到480M。
当然无法正常运行,甚至无法再次烧录,烧录报错无法复位内核。没有任何电容的情况下强行拉480M对于单片机确实是压力过大了,示波器打了一圈,发现是VCAP纹波过大,1.2V纹波足足有300mV,没有供电全是纹波。
三路VCAP,按照手册每一路需要并联两个2.2uF,我这里给每一路一个2.2uF。
按照手册,整个芯片正常工作一共需要至少31(随便算了下可能有误)个电容。现在已经有三个2.2uF,优势在我,480M跑起。
结果是,成功了。内核跑到了480M,初始化之后跑了TIM1三路PWM,有输出,调试也可以进,单步走也没问题。单片机3.3V处纹波为12mV。
由此可见,内电层非常可靠,即便去除大部分去耦电容单片机都可以运行。但是如果外设运行比较多,高频输出增多,没有电容可能会导致供电不及时拉死内核。所以这个实验不能证明去耦电容是无意义的,只是整个活。104越多bug越少