【CEM4936-VB】&【IPD100N06S4-03-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析

**IPD100N06S4-03-VB**
- 丝印:VBE1606
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 沟道类型:N
  - 封装:TO252
  - 最大电压:60V
  - 最大电流:110A
  - RDS(ON):4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压:2.8V

**CEM4936-VB**
- 丝印:VBA3328
- 品牌:VBsemi
- 参数:
  - 沟道类型:2个N
  - 封装:SOP8
  - 最大电压:30V
  - 最大电流:6.8/6.0A
  - RDS(ON):22mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压:1.73V

**产品比较:**
- **IPD100N06S4-03-VB**
  - N-Channel沟道,适用于电源开关、电机驱动等高电流场景。
  - 最大电流110A,RDS(ON)较低,适用于对电流要求极高的场景。

- **CEM4936-VB**
  - 2个N-Channel沟道,适用于双通道电源开关等应用。
  - 最大电流6.8/6.0A,RDS(ON)适中,适用于中等电流负载。

**差异性与优劣性:**
- **IPD100N06S4-03-VB**适用于高电流N沟道场景,性能较优。
- **CEM4936-VB**适用于双通道中等电流场景,适用性广泛。

**应用简介:**
- **IPD100N06S4-03-VB**可用于电源开关、电机驱动等高电流场景。
- **CEM4936-VB**适合电源开关、负载开关等中等电流场景。

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