AP2301AGN-HF-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

本文介绍了VBsemi的AP2301AGN-HF-VBSOT23封装P-ChannelMOSFET,适用于电源管理和开关电源应用,特别适合低导通电阻和高效率需求,如DC-DC转换器、电池管理系统和小型空间设计.
摘要由CSDN通过智能技术生成

**AP2301AGN-HF-VB**

- **丝印:** VB2290
- **品牌:** VBsemi
- **参数:**
  - 封装:SOT23
  - 沟道类型:P—Channel
  - 最大工作电压:-20V
  - 最大电流:-4A
  - RDS(ON):57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压:Vth=-0.81V

- **应用简介:**
  适用于各种电源管理和开关电源应用,特别是在需要 P—Channel 沟道的场合。由于其性能参数,特别适合在需要低导通电阻和高效率的应用中使用。

- **举例说明:**
  - **领域:** 电源管理领域
  - **模块:** DC-DC 转换器、电池管理系统、开关电源

该器件在需要负载开关和电源管理的场景中具有优越的性能,尤其在电流较小、功耗要求高、空间有限的情况下是理想的选择。

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