NCE2301B-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

VBsemi NCE2301B-VB，丝印：VB2290，是一款SOT23封装的P沟道MOSFET。参数包括-20V、-4A、RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V、VGS=12V、Vth=-0.81V。

**应用：**
- **详细参数：**
  - 电压：-20V
  - 电流：-4A
  - RDS(ON)：在VGS=4.5V、VGS=12V时为57mΩ
  - 阈值电压（Vth）：-0.81V

- **适用于：**
  - SOT23模块
  - P沟道应用
  - 负电压、中低电流电路

- **示例应用：**
  - 电源反极性保护电路
  - 模拟开关电路
  - 负电压稳压电路

- **使用领域：**
  - 电子设备的反极性保护
  - 低功耗应用
  - 负电源系统

该P沟道MOSFET适用于需要在SOT23封装中实现负电压、中低电流电路中的高效能特性。