QM3001K-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

QM3001K-VB

丝印： VB2355

品牌： VBsemi

参数：

封装：SOT23
沟道类型：P—Channel
额定电压：-30V
最大电流：-5.6A
导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
阈值电压（Vth）：-1V
封装： SOT23

详细参数说明:
QM3001K-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V，最大电流为-5.6A，导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，阈值电压为-1V。

应用简介:
QM3001K-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。由于其性能特点，该器件常见于以下领域和模块：

电源开关模块： QM3001K-VB可用于设计高效的电源开关模块，如稳压器和开关电源。

电池管理系统： 由于低阈值电压和低导通电阻，该器件适用于电池管理系统，提供有效的电源开关控制。

LED照明驱动： 在LED照明应用中，可用于设计高效的LED驱动电路。

请注意，在具体应用中，确保根据各自的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。