STN3400S-TRG-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**STN3400S-TRG-VB N-Channel MOSFET (SOT23)**

- **规格：**
  - 丝印：VB1330
  - 品牌：VBsemi
  - 封装：SOT23
  - 类型：N-Channel 沟道
  - 额定电压：30V
  - 额定电流：6.5A
  - RDS(ON)：30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Vth）：1.2~2.2V

- **特性：**
  - 小型SOT23封装，适用于有限空间的设计。
  - N-Channel沟道类型，适用于增强型功率MOSFET。
  - 低导通电阻（RDS(ON)）以及高电流承载能力，提供高效能的性能。

- **应用简介：**
  - STN3400S-TRG-VB适用于各种电源和功率管理应用。
  - 在电源开关、稳压器、电池管理和DC-DC转换器等领域广泛应用。
  - 由于其小巧封装和高性能特性，适用于要求小型化和高功率密度的电子模块。

- **典型应用领域和模块：**
  1. **电源开关模块：** STN3400S-TRG-VB可用于设计紧凑型电源开关模块，提供高效且可靠的电源管理。
  
  2. **DC-DC转换器：** 适用于构建DC-DC转换器模块，实现不同电压之间的高效转换。

  3. **电池管理系统：** 在电池管理系统中，STN3400S-TRG-VB可以用于控制充电和放电过程，以及确保电池系统的高效运行。

这款STN3400S-TRG-VB N-Channel MOSFET适用于要求高性能、小型化和高功率密度的电源和功率管理应用。