10P03L-VB TO220一种P-Channel沟道TO220封装MOS管

**10P03L-VB 产品简介：**

10P03L-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET，封装为 TO220。它具有-60V 的漏极-源极电压（VDS），以及额定为 ±20V 的门源极电压（VGS）。门极阈值电压（Vth）为 -1.7V，漏极-源极电阻（RDS(ON)）在 VGS=4.5V 时为 74mΩ，在 VGS=10V 时为 62mΩ，漏极电流（ID）额定为 -40A。这款 MOSFET 采用 Trench 技术工艺制造。

**10P03L-VB 详细参数说明：**

- **封装类型（Package）：** TO220
- **器件类型（Configuration）：** 单 P-沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** -60V
- **门源极电压（VGS）：** ±20V
- **门极阈值电压（Vth）：** -1.7V
- **漏极-源极电阻（RDS(ON)）：** 74mΩ @ VGS=4.5V，62mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** -40A
- **技术工艺（Technology）：** Trench

**10P03L-VB 适用领域和模块示例：**

1. **电源开关：** 由于其低漏极-源极电阻和高漏极-源极电压，10P03L-VB 可以用于电源开关模块，如直流-直流转换器和直流-交流逆变器。

2. **电池保护：** 10P03L-VB 可以作为电池保护模块中的开关器件，用于保护电池免受过充、过放和短路等问题的影响。

3. **汽车电子：** 在汽车电子系统中，10P03L-VB 可以用于车灯控制、电动汽车充电桩和电动汽车动力模块等应用。

4. **工业控制：** 在工业控制系统中，10P03L-VB 可以作为电机驱动器中的开关器件，用于实现电机的高效控制。

以上是 10P03L-VB 的产品简介、详细参数说明和适用领域和模块示例。