**10P03L-VB 产品简介:**
10P03L-VB 是一款单 P-沟道 MOSFET,封装为 TO220。它具有-60V 的漏极-源极电压(VDS),以及额定为 ±20V 的门源极电压(VGS)。门极阈值电压(Vth)为 -1.7V,漏极-源极电阻(RDS(ON))在 VGS=4.5V 时为 74mΩ,在 VGS=10V 时为 62mΩ,漏极电流(ID)额定为 -40A。这款 MOSFET 采用 Trench 技术工艺制造。
**10P03L-VB 详细参数说明:**
- **封装类型(Package):** TO220
- **器件类型(Configuration):** 单 P-沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** -60V
- **门源极电压(VGS):** ±20V
- **门极阈值电压(Vth):** -1.7V
- **漏极-源极电阻(RDS(ON)):** 74mΩ @ VGS=4.5V,62mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** -40A
- **技术工艺(Technology):** Trench
**10P03L-VB 适用领域和模块示例:**
1. **电源开关:** 由于其低漏极-源极电阻和高漏极-源极电压,10P03L-VB 可以用于电源开关模块,如直流-直流转换器和直流-交流逆变器。
2. **电池保护:** 10P03L-VB 可以作为电池保护模块中的开关器件,用于保护电池免受过充、过放和短路等问题的影响。
3. **汽车电子:** 在汽车电子系统中,10P03L-VB 可以用于车灯控制、电动汽车充电桩和电动汽车动力模块等应用。
4. **工业控制:** 在工业控制系统中,10P03L-VB 可以作为电机驱动器中的开关器件,用于实现电机的高效控制。
以上是 10P03L-VB 的产品简介、详细参数说明和适用领域和模块示例。