130P03LS-VB一种P-Channel沟道DFN8(5X6)封装MOS管

### 产品简介

VBsemi的130P03LS-VB是一款单P沟道MOSFET，采用Trench技术，具有-30V的漏极-源极电压（VDS）和20V的栅极-源极电压（VGS）。该器件的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）在VGS=4.5V时为12mΩ，在VGS=10V时为7.8mΩ，具有-60A的漏极电流（ID）和-2.5V的阈值电压（Vth）。

### 参数说明

- **型号**: 130P03LS-VB
- **封装**: DFN8(5X6)
- **结构**: 单P沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**: -30V
- **VGS（栅极-源极电压）**: 20V（±）
- **Vth（阈值电压）**: -2.5V
- **RDS(ON)（漏极-源极导通电阻）**: 
  - VGS=4.5V时：12mΩ
  - VGS=10V时：7.8mΩ
- **ID（漏极电流）**: -60A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

1. **电源逆变器**: 由于130P03LS-VB具有较高的漏极-源极电压和较大的漏极电流，适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电池保护**: 在电池保护电路中，MOSFET通常用于过充和过放保护。130P03LS-VB可用于一些电池保护模块中，确保电池处于安全工作范围内。
3. **DC-DC变换器**: 由于其低导通电阻和高漏极电流容量，130P03LS-VB适用于DC-DC变换器中的功率开关和控制电路，提高能量转换效率。
4. **电动车电源管理**: 在电动车的电源管理系统中，MOSFET通常用于控制电池和电机之间的电源开关。130P03LS-VB可用于电动车电源管理系统中的功率开关。
5. **LED驱动器**: 由于其较高的漏极-源极电压，130P03LS-VB适用于LED照明驱动器和控制器，提供稳定的电流和照明控制。

以上领域和模块仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境。