110N03MS-VB一种N-Channel沟道SOP8封装MOS管

### 110N03MS-VB 产品简介

110N03MS-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有低压（30V）和较高电流（13A）特性。采用槽沟技术（Trench）制造，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，适用于需要高性能的应用场合。

### 详细参数说明

- **包装类型（Package）**：SOP8
- **配置（Configuration）**：单 N 沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：30V
- **栅极-源极电压（VGS）**：20V（±）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：11mΩ @ VGS=4.5V；8mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：13A
- **技术特点（Technology）**：槽沟（Trench）

### 应用示例

- **电源管理**：适用于手机充电器、电池管理系统等低压高电流的电源管理电路。
- **汽车电子**：可用于汽车电子系统中的低压开关和电源管理。
- **工业控制**：适用于工业控制系统中需要低压高电流开关的场合。

这些示例只是 110N03MS-VB 在各个领域和模块中的一部分应用，具体应用取决于具体设计需求。