### 产品简介
VBsemi的11N60C2-VB TO247是一款单N沟道MOSFET,采用TO247封装,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),以及在VGS=10V时为430mΩ的导通电阻(RDS(ON))。该器件的漏极电流(ID)额定为18A,采用平面技术制造。
### 参数说明
- **包装形式**:TO247
- **通道类型**:单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**:650V
- **VGS(栅极-源极电压)**:30V(±V)
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:430mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:18A
- **技术**:平面
### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**:11N60C2-VB TO247可用于高压直流电源模块,如DC-DC转换器和UPS系统,提供高效的能量转换和稳定的电源输出。
2. **工业电机驱动**:在工业电机控制系统中,这种器件可以用作电机驱动器的开关装置,实现电机的高效控制和节能运行。
3. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,11N60C2-VB TO247可用于充电桩的控制电路,确保充电过程的安全性和高效性。
4. **太阳能逆变器**:该MOSFET适用于太阳能逆变器的电路中,帮助将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电,供应给家庭或工业用电系统。
5. **医疗设备**:在医疗设备中,这种器件可以用于高压电源模块和电机驱动器,具有稳定可靠的性能,满足医疗设备对电源的高要求。
以上仅为一些常见应用领域和模块,实际应用中还可能有其他领域和模块。