2SJ590LS-VB一款P-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

于 2024-08-19 14:30:02 发布
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分类专栏： mosfet参数解析 MOSFET 文章标签： VBsemi MOSFET MOS管
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### 产品简介

2SJ590LS-VB 是 VBsemi 公司生产的单通道 P 型 MOSFET，采用 TO220F 封装。该器件具有较低的导通电阻和适中的电流处理能力，适用于一般功率管理和开关应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SJ590LS-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单通道 P 型
- **漏源电压 (VDS)**: -60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 60mΩ @ VGS = 4.5V
  - 50mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: -30A
- **技术**: Trench（沟槽技术）

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理模块**
   - 2SJ590LS-VB 可以用作电源管理模块中的开关元件，适用于需要较高电流处理和低导通损耗的应用场合。

2. **电池保护电路**
   - 在电池保护电路中，这款 MOSFET 可以用作开关元件，控制充放电过程，保护电池和设备。

3. **电机驱动**
   - 在一些需要高功率的电机驱动中，2SJ590LS-VB 可以用作开关管，帮助控制电机的启停和速度。

4. **LED 驱动器**
   - 在 LED 照明应用中，这款 MOSFET 可以用作 LED 驱动器电路中的开关元件，控制 LED 的亮度和功率。

尽管 2SJ590LS-VB 的漏极电流较低，但其在一般功率管理和开关应用中的可靠性和稳定性使其成为许多电子设备中常见的元件之一。

VBsemi_MOS
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2SJ492-VB；Package：TO220；Configuration：Single-P-Channel；VDS：-60V；VGS：20（±V）；Vth：-1.7V；RDS(ON)=56mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=48mΩ@VGS=10V；ID：-45A；Technology：Trench；
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2SJ303-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-220封装。由于2SJ303-VB具有较高的漏极-源极电压和电流处理能力，因此非常适合用于电动汽车的电源系统中，如电机驱动器、充电器和电池管理系统。- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V。- **漏源电压 (VDS)**: -60V。- **栅源电压 (VGS)**: ±20V。- **漏极电流 (ID)**: -40A。- **封装**: TO-220。- **技术**: Trench。- **配置**: 单P-沟道。
2SJ172-VB一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2. **电机控制系统**: 在需要高功率电机驱动和控制的应用中，2SJ172-VB MOSFET的高导通电流和低导通损耗可以提高系统的效率和性能。1. **电源管理模块**: 由于其高导通电流和低导通电阻特性，该MOSFET非常适合用于开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统中。4. **工业控制和自动化**: 在工业控制和自动化领域，2SJ172-VB 可以用于各种高功率电路，如变频器、机器人控制系统和工厂自动化设备中，以提高系统的性能和稳定性。- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V。
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2SJ292-VB P-Channel MOSFET 具有中至高功率能力、槽沟技术和高性能规格，适用于从电源单元和电机驱动电路到高功率 LED 照明系统和高保真音响系统的广泛应用。- **漏极-源极电压 (VDS)**: -60V。- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V。- **连续漏极电流 (ID)**: -50A。- **配置**: 单 P-Channel。- **封装**: TO220。- **技术**: 槽沟。#### 电机驱动电路。
2SJ328-Z-VB一款P-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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2SJ328-Z-VB MOSFET 适用于中功率电源管理应用，如 DC-DC 变换器和电源单元。2SJ328-Z-VB P-Channel MOSFET 具有中功率能力、槽沟技术和高性能规格，适用于从电源管理和电机驱动电路到 LED 照明系统和音频放大的广泛应用。- **漏极-源极电压 (VDS)**: -60V。- **栅极-源极电压 (VGS)**: ±20V。- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V。- **连续漏极电流 (ID)**: -45A。- **配置**: 单 P-Channel。
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2. **电动车辆控制**: 在电动车辆的驱动控制系统中，可用于控制电机和电池管理，提供高效的动力输出和能量管理。4. **电源开关**: 适用于各种电源开关和功率控制应用，确保高效和可靠的开关功能。3. **工业控制**: 在工业控制中的各种控制系统和驱动器，提供高效的控制和性能。- **漏极-源极电压（VDS）**：-60V。- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V。- **阈值电压（Vth）**：-1.7V。- **配置**：单 P-Channel。- **漏极电流（ID）**：-45A。
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*2SJ304-VB MOSFET** 是VBsemi 公司生产的一款高性能P-沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。- 2SJ304-VB MOSFET 可以用于中高功率电源管理系统中，如工业电机控制器、电源逆变器等。- **栅极阈值电压（Vth）**：-1.7V。- **栅源电压（VGS）**：20V（±）- **漏源电压（VDS）**：-60V。- **漏极电流（ID）**：-20A。- **封装形式**：TO220F。- **技术类型**：沟槽技术。- **配置**：单P-沟道。
2SJ272-VB一款P-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
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08-15 223
2. **电动车充电器**：用于电动车充电器中，控制充电电流和电压，保证充电效率和安全。3. **电动工具**：可用于电动工具中的开关和控制电路，如电钻、电锤等。2. **电源管理**：适用于中功率电源管理系统，如开关电源、逆变器等。- **漏源电压（VDS）**：-100V。- **栅极阈值电压（Vth）**：-2V。- **漏极电流（ID）**：-12A。- **封装形式**：TO220F。- **技术类型**：沟槽技术。- **配置**：单P-沟道。### 二、详细参数说明。**模块应用举例：**
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2. **电机驱动和控制系统**: 在需要中功率电机驱动和控制的应用中，2SJ401-VB MOSFET的高导通电流和低导通损耗可以提高系统的效率和性能。1. **电源管理模块**: 由于其高导通电流和低导通电阻特性，该MOSFET适用于中功率的开关电源、DC-DC转换器和电池管理系统。4. **LED照明**: 由于其低导通电阻和高导通电流特性，2SJ401-VB 可以用于中功率LED驱动器和照明控制系统，提供稳定的电源和高效的能量转换。**型号：2SJ401-VB**- **配置**: 单P沟道。
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4. **汽车电子**: 在汽车电子中的电池管理系统（BMS）和车身控制模块（BCM）等领域，确保高效和可靠的运行。5. **工业自动化**: 在工业自动化中，可用于各种控制系统和驱动器，提供高效的控制和性能。- **漏极-源极电压（VDS）**：-100V。- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V。- **配置**：单 P-Channel。- **阈值电压（Vth）**：-2V。- **漏极电流（ID）**：-12A。- **封装**：TO220F。- **技术**：沟道。
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