### 产品简介:
126N10N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有100V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、2.5V的阈值电压(Vth)、20mΩ@VGS=4.5V和9mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON))、以及100A的漏极电流(ID)。适用于需要高性能MOSFET的电路设计。
### 参数说明:
- **型号:** 126N10N-VB
- **封装:** TO220
- **构型:** 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 100V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 2.5V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 20mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 100A
- **技术:** Trench
### 适用领域和模块:
1. **电源模块:** 由于126N10N-VB具有低导通电阻和高漏极电流,适用于高性能电源模块,如开关电源、DC-DC变换器等。
2. **电机驱动:** 该MOSFET可用于电机控制和驱动电路中,其低导通电阻和高漏极电流特性可提供高效率和高性能。
3. **照明应用:** 126N10N-VB适用于LED照明驱动器和照明控制电路,其性能可提高照明系统的效率和可靠性。
4. **电动工具:** 由于126N10N-VB具有高漏极电流和低导通电阻,可用于电动工具的电源控制和驱动电路中,提供高效率和高性能。
5. **汽车电子:** 在汽车电子领域,126N10N-VB可用于汽车电子控制单元(ECU)中的电源开关和驱动器,以提高汽车电子系统的性能和效率。