12N65M5-VB TO251一种N-Channel沟道TO251封装MOS管

### 产品简介

12N65M5-VB TO251 是一款单通道 N 型 MOSFET，采用 SJ_Multi-EPI 技术。具有高耐压特性和适中的导通电阻，适用于中等功率应用中的功率控制和开关电路。

### 参数说明

- **封装：** TO251
- **VDS（漏极-源极电压）：** 700V
- **VGS（栅极-源极电压）：** ±30V
- **Vth（阈值电压）：** 3.5V
- **导通电阻：**
  - @VGS=10V: 450mΩ
- **最大漏极电流（ID）：** 11A

### 应用领域和模块举例

1. **电源模块：** 12N65M5-VB TO251 适用于中等功率控制的电源模块中的主开关，如家用电器的电源控制模块。
2. **工业控制系统：** 在工业控制系统中，12N65M5-VB TO251 可以用于控制电机、阀门等设备的启停和速度调节。
3. **充电桩：** 在电动汽车充电桩中，12N65M5-VB TO251 可以用作开关电源单元，实现快速、高效的充电。
4. **电动工具：** 在需要中等功率控制的电动工具中，12N65M5-VB TO251 可以用作开关电源单元，提供稳定的电流和功率控制。

以上示例说明了12N65M5-VB TO251 在中等功率应用中的广泛应用，特别适用于需要中等功率控制的场合。