18N50L-TA3-T-VB一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

VBsemi的18N50L-TA3-T-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。以下是该产品的详细信息：

**产品简介：**
18N50L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS）和30V的门极-源极电压（VGS）。采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性。适用于高压应用领域。

**详细参数：**
- 封装：TO220
- 构型：单N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（门极-源极电压）：±30V
- Vth（阈值电压）：3.5V
- RDS(ON)（导通电阻）：160mΩ@VGS=10V
- ID（漏极电流）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块示例：**
- **电源电池管理**：18N50L-TA3-T-VB可以用于电动汽车、太阳能逆变器等高压电源管理模块，提供可靠的功率控制和管理。
- **工业自动化**：适用于工业设备中的电源开关模块，提供高效的电源转换和管理。
- **照明系统**：可用于高压LED照明系统中的功率开关，实现高效的LED光源控制和调节。
- **电力传输**：适用于电力传输系统中的功率开关模块，提供可靠的电力传输和控制。

以上是对18N50L-TA3-T-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。