14N06S2-80-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介
VBsemi的14N06S2-80-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），以及在VGS=4.5V时为85mΩ，在VGS=10V时为73mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。该器件的漏极电流（ID）额定为18A，采用沟道技术制造。

### 参数说明
- **包装形式**：TO252
- **通道类型**：单N沟道
- **VDS（漏极-源极电压）**：60V
- **VGS（栅极-源极电压）**：20V（±V）
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **RDS(ON)（导通电阻）**：85mΩ @ VGS=4.5V；73mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）**：18A
- **技术**：沟道

### 应用领域和模块举例
1. **电源模块**：14N06S2-80-VB适用于中功率电源模块，如开关电源和电源适配器，提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电动工具**：在电动工具中，这种器件可用于电机控制电路，实现电动工具的高效运行和长时间工作。
3. **电动汽车**：在电动汽车中，该器件可用于电机控制和电池管理，提供高效、稳定的性能，满足电动汽车的中功率需求。
4. **工业控制**：适用于工业控制系统中的电源管理和电机控制，具有高效、稳定的性能，适应工业环境的需求。
5. **充电桩**：在充电桩中，该器件可用于电源管理和充电控制，提供高效的充电服务，支持快速充电技术。

以上仅为一些常见应用领域和模块，实际应用中还可能有其他领域和模块。