### 产品简介:
14N03L-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth)、9mΩ@VGS=4.5V和7mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及70A的漏极电流(ID)。适用于中功率电路设计。
### 参数说明:
- **型号:** 14N03L-VB
- **封装:** TO252
- **构型:** 单N沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 30V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 9mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 70A
- **技术:** Trench
### 适用领域和模块:
1. **电源开关:** 由于14N03L-VB具有适中的漏极-源极电压和导通电阻,适用于中功率电源开关,如电源逆变器、开关电源等。
2. **电机驱动:** 可用于电机驱动电路中的功率开关,提供可靠的电源控制和驱动功能。
3. **电源管理:** 适用于电源管理电路中的电压调节和电流控制,提供可靠的电源管理功能。
4. **车载电子:** 在车载电子领域,可用于车载电子控制单元(ECU)中的电源开关和驱动器,提供可靠的电源控制和驱动功能。
5. **工业控制:** 在工业控制领域,可用于中功率电源开关和驱动器,提供高效、可靠的电源控制和驱动功能。