15N65M5-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 15N65M5-VB TO220F 产品简介

15N65M5-VB TO220F 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有高达 650V 的漏极-源极电压（VDS），30V 的门极-源极电压（VGS，±V），以及3.5V 的门极阈值电压（Vth）。该器件采用平面技术制造，具有稳定可靠的性能。

### 15N65M5-VB TO220F 详细参数说明

- **VDS（漏极-源极电压）：** 650V
- **VGS（门极-源极电压）：** 30V（±V）
- **Vth（门极阈值电压）：** 3.5V
- **RDS(ON)（导通时的漏极-源极电阻）：** 320mΩ @ VGS=10V
- **ID（漏极电流）：** 20A
- **技术：** 平面技术

### 适用领域和模块示例

- **电源逆变器模块：** 15N65M5-VB TO220F 的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用作电源逆变器模块中的开关器件，适用于太阳能逆变器、UPS 电源等领域。
- **电动汽车充电桩模块：** 由于其高电压和电流特性，15N65M5-VB TO220F 可以用作电动汽车充电桩中的开关器件，能够提供高效率和可靠性的充电解决方案。
- **工业控制模块：** 在工业控制领域，15N65M5-VB TO220F 可以用作各种工业控制系统中的开关器件，如电机驱动器、温度控制器等。

以上仅为示例，实际应用取决于具体设计要求和环境条件。