16N50H-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

VBsemi的16N50H-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET，设计用于承受最大550V的漏极-源极电压（VDS）。这款MOSFET具有30V（±）的栅极-源极电压（VGS）和3V的阈值电压（Vth），在VGS=10V时，其导通电阻RDS(ON)为260mΩ，并且具有18A的漏极电流（ID）。

### 参数说明

- **封装**：TO220F
- **构型**：单N沟道
- **最大漏极-源极电压**：550V
- **栅极-源极电压**：30V（±）
- **阈值电压**：3V
- **导通电阻**：260mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流**：18A
- **技术**：平面

### 适用领域和模块

1. **电源开关**：由于16N50H-VB具有较高的漏极-源极电压和较低的导通电阻，适用于电源开关模块，能够提供高效的功率开关控制。

2. **照明电源**：在照明电源中，这款MOSFET可以用于高压LED驱动电路，帮助实现高效的照明系统设计。

3. **电动工具**：在工业电动工具中，16N50H-VB可以用作电机的开关元件，帮助实现高功率和高效率的电动工具设计。

4. **太阳能逆变器**：用于太阳能逆变器中的开关电源和逆变器控制，可实现太阳能电能的高效转换。

5. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，这款MOSFET可以用于高压直流充电桩的功率控制，提高充电效率。

以上是对16N50H-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明。