16N50H TO3P-VB一款N-Channel沟道TO3P的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**16N50H TO3P-VB 产品简介：**

16N50H TO3P-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有600V 的漏极-源极电压（VDS），30V（±V）的栅极-源极电压（VGS），和3.5V 的阈值电压（Vth）。它采用了 SJ_Multi-EPI 技术制造，具有高性能和可靠性，适用于各种应用场合。

**16N50H TO3P-VB 详细参数说明：**

- 漏极-源极电压（VDS）：600V
- 栅极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：280mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：15A
- 技术：SJ_Multi-EPI

**适用领域和模块示例：**

1. **电源模块**：16N50H TO3P-VB 可以用作高压电源开关，适用于需要较高漏极-源极电压和漏极电流的应用，如电源适配器、UPS 系统等。
2. **电机驱动**：由于其较高的漏极电流和低导通电阻，适合用于驱动大功率电机，如工业电机、电动汽车驱动电机等。
3. **逆变器模块**：在需要高效率和高功率密度的应用中，如太阳能逆变器、工业控制逆变器等领域，16N50H TO3P-VB 可以作为功率开关器件的一部分。
4. **电源管理模块**：在需要稳定可靠的电源管理系统中，16N50H TO3P-VB 可以用于电源开关和保护模块。

这些示例仅代表了一部分应用领域，实际上，16N50H TO3P-VB 在许多其他领域和模块中都有广泛的应用。