180P3N-VB一款P-Channel沟道DFN8(3X3)封装的场效应MOS管

### 产品简介

VBsemi 180P3N-VB 是一款高性能的单P沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用沟槽技术设计，适用于需要负载开关的高性能应用。

### 详细参数说明

- **型号**: 180P3N-VB
- **封装**: DFN8(3X3)
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
  - 18mΩ @ VGS=4.5V
  - 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -45A
- **技术**: 沟槽型

### 应用领域和模块

#### 电源管理
180P3N-VB MOSFET 可用于负载开关和电源管理，适用于便携式设备、工业电子和汽车电子等领域。其高漏极电流和低导通电阻有助于提高系统的效率和稳定性。

#### 电池管理
在电池管理系统中，180P3N-VB 可用于充放电控制和电池保护。其高电流处理能力和低导通电阻使其成为电池管理系统的理想选择。

#### 汽车电子
180P3N-VB 适用于汽车电子中的负载开关和电池管理。其高可靠性和稳定性使其能够应对汽车环境中的各种挑战。

#### 工业控制
在工业控制系统中，180P3N-VB 可用于电机驱动器、继电器和工业自动化控制。其高电流能力和低导通电阻有助于提高设备的性能和稳定性。

总之，VBsemi 180P3N-VB MOSFET 适用于各种负载开关和电源管理应用，具有高性能和稳定性，是电子设备、工业控制和汽车电子等领域的理想选择。