VBsemi的18AFN8205TS6RG-VB是一款SOT23-6封装的双N+N-沟道MOSFET。以下是该产品的详细信息:
**产品简介:**
18AFN8205TS6RG-VB是一款双N+N-沟道MOSFET,具有20V的漏极-源极电压(VDS)和20V的门极-源极电压(VGS)。该产品采用沟道技术,具有优秀的性能和可靠性。适用于需要高性能MOSFET的各种应用场合。
**详细参数:**
- 封装:SOT23-6
- 构型:双N+N-沟道
- VDS(漏极-源极电压):20V
- VGS(门极-源极电压):±20V
- Vth(阈值电压):0.5~1.5V
- RDS(ON)(导通电阻):28mΩ@VGS=2.5V;24mΩ@VGS=4.5V
- ID(漏极电流):6A
- 技术:沟道
**适用领域和模块示例:**
- **移动设备**:18AFN8205TS6RG-VB可以用于智能手机、平板电脑等移动设备中的功率管理模块,提供高效的电源管理。
- **便携式电子产品**:适用于便携式音频设备、便携式游戏机等便携式电子产品中的功率管理模块,提供高效的电源控制。
- **LED照明**:可用于LED照明系统中的驱动电路,实现高效的LED光源控制和调节。
- **医疗设备**:适用于医疗设备中的功率管理模块,提供可靠的电源控制和管理。
- **电源适配器**:可用于电源适配器中的功率开关,提供高效的电源转换和管理。
以上是对18AFN8205TS6RG-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式举例说明。