18N20A-VB TO220一款N-Channel沟道TO220封装的场效应MOS管

VBsemi 18N20A-VB TO220 MOSFET产品简介：

18N20A-VB TO220是一款单N沟道场效应管，具有200V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3V的阈值电压（Vth），110mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及30A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Technology）。

详细参数说明：
- 封装：TO220
- 类型：单N沟道（Single-N-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：200V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3V
- 导通电阻（RDS(ON)）：110mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：30A
- 技术：沟道技术（Trench）

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：18N20A-VB TO220可用于电源模块中的开关电源设计，如电源适配器和开关电源。
2. 电机驱动：在工业自动化和机器人领域，该器件可用于电机驱动器设计，提供高效的功率转换。
3. 灯光控制：可用于LED灯光控制模块，实现对灯光亮度和颜色的精确控制。
4. 汽车电子：适用于汽车电子模块，如汽车引擎控制单元（ECU）和电动汽车控制器，提高系统效率和可靠性。
5. 工业控制：用于工业自动化控制系统中的开关电路，实现对设备的高效控制。

这些是18N20A-VB TO220 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。