18T10GH-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

18T10GH-VB是一款单路N沟道场效应管（MOSFET），采用槽沟道技术，具有高达100V的漏极-源极电压（VDS）和15A的漏极电流（ID）能力。该器件采用TO252封装，适用于多种领域和模块，提供可靠的性能和高效的功率控制。

### 参数说明

- **型号:** 18T10GH-VB
- **封装:** TO252
- **构造:** 单N沟道
- **VDS (漏极-源极电压):** 100V
- **VGS (栅极-源极电压):** ±20V
- **Vth (阈值电压):** 1.8V
- **RDS(ON) (导通电阻):** 114mΩ @ VGS=10V
- **ID (漏极电流):** 15A

- **技术:** 槽沟道

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理:** 在低压电源管理领域，18T10GH-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路等。

2. **汽车电子:** 由于其适中的电压和电流特性，这款MOSFET可用于汽车电子系统中，如发动机控制单元、照明控制和电动汽车充电器。

3. **LED照明:** 在LED照明应用中，18T10GH-VB可提供可靠的功率开关功能，帮助实现节能和高亮度的照明解决方案。

4. **工业控制系统:** 18T10GH-VB的适中参数使其成为工业控制系统中的理想功率开关元件，可用于驱动电机、控制温度和光照等应用。

5. **电动工具:** 对于电动工具（如电钻、电锯等）中的功率控制，这款MOSFET提供了一种可靠和高效的解决方案。

以上是一些18T10GH-VB可应用的领域和模块示例，但并不局限于此，具体应用取决于设计要求和系统需求。