18N20GS-VB一款N-Channel沟道TO263封装的场效应MOS管

### 产品简介

VBsemi的18N20GS-VB是一款单N沟道场效应管（MOSFET），具有200V的漏极-源极电压（VDS）和20V的门极-源极电压（VGS）。该器件采用Trench技术制造，具有优异的性能和可靠性。它的漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）为48mΩ（在VGS=10V时），最大漏极电流（ID）为40A。这使得18N20GS-VB非常适合高压应用，如电源管理、电机驱动器和其他需要高性能MOSFET的领域。

### 详细参数说明

- **Package**：TO263
- **Configuration**：Single-N-Channel
- **VDS**：200V
- **VGS**：20V（±）
- **Vth**：3V
- **RDS(ON)**：48mΩ @ VGS=10V
- **ID**：40A
- **Technology**：Trench

### 适用领域和模块示例

18N20GS-VB适用于各种需要高压、高性能MOSFET的应用，包括但不限于：

1. **电源管理**：18N20GS-VB的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于开关电源、电源逆变器和电源转换器等电源管理系统中。
   
2. **电机驱动器**：18N20GS-VB可用于电动汽车、工业机械和家用电器等领域的电机驱动器，其能够提供高效率和可靠性。

3. **工业控制**：在需要控制高电压和电流的工业控制系统中，18N20GS-VB可以用作开关器件，以实现高效的能量转换。

4. **照明应用**：18N20GS-VB的高性能和可靠性使其成为LED照明驱动器和其他照明应用的理想选择。

5. **汽车电子**：在汽车电子系统中，18N20GS-VB可用于电动汽车充电桩、DC-DC转换器和其他高压应用。

总之，18N20GS-VB是一款功能强大、可靠性高的MOSFET，适用于各种高压应用领域和模块。