18N40L-TF1-T-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

VBsemi 18N40L-TF1-T-VB MOSFET产品简介：

VBsemi的18N40L-TF1-T-VB是一款TO220F封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压（Vth），160mΩ的导通电阻（RDS(ON)）@VGS=10V，以及20A的漏极电流（ID）。采用SJ_Multi-EPI技术。

18N40L-TF1-T-VB详细参数说明：

- 封装：TO220F
- 类型：单通道N沟道
- VDS（漏极-源极电压）：650V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：160mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：20A
- 技术：SJ_Multi-EPI

产品应用领域和模块示例：

1. 工业电源模块：18N40L-TF1-T-VB的高电压和高电流特性使其非常适合用于工业电源模块，能够提供稳定的电源输出。

2. 电动汽车充电桩：由于18N40L-TF1-T-VB具有较低的导通电阻和高的漏极电流，可用于电动汽车充电桩中的功率开关电路，提高充电效率。

3. 太阳能逆变器：18N40L-TF1-T-VB的高电压和高电流能力使其成为太阳能逆变器中的理想选择，用于转换太阳能板产生的直流电为交流电。

4. 电源管理模块：在需要高效能管理和稳定输出的应用中，如电源管理模块中，18N40L-TF1-T-VB可以提供可靠的性能。

5. LED照明驱动：18N40L-TF1-T-VB的高电压和电流特性适合用于LED照明驱动电路，确保LED灯具的稳定工作。

以上是关于VBsemi 18N40L-TF1-T-VB MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。