### 产品简介:
VBsemi 19AM3808NE-T1-PF-VB是一款双N沟道+N沟道功率MOSFET,封装为SOT23-6。它具有20V的漏极-源极电压(VDS)和20V的最大门极-源极电压(VGS)。采用槽道(Trench)技术,具有低导通电阻和高可靠性,适用于低压功率电子应用。
### 详细参数说明:
- **封装:** SOT23-6
- **器件类型:** 双N沟道+N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压(VDS):** 20V
- **最大门极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 0.5~1.5V
- **漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):**
- VGS = 2.5V时:28mΩ
- VGS = 4.5V时:24mΩ
- **漏极电流(ID):** 6A
- **技术:** 槽道(Trench)
### 应用领域和模块示例:
1. **移动设备充电管理:** 19AM3808NE-T1-PF-VB可用于移动设备中的电池充电管理模块,帮助实现高效的充电和放电控制。
2. **电源管理模块:** 在低压电源管理模块中,这款MOSFET可以用于开关电源和DC-DC转换器,提供高效的能量转换。
3. **LED照明控制:** 在LED照明系统中,这款MOSFET可用于开关控制器,实现高亮度和高效能量转换。
4. **工业自动化控制:** 19AM3808NE-T1-PF-VB适用于工业控制系统中的低压开关器件,提供可靠的电力控制。
5. **便携式电子设备:** 在便携式电子设备中,这款MOSFET可用于电源管理和电池管理模块,帮助延长电池寿命和提高能效。
这些示例说明了19AM3808NE-T1-PF-VB MOSFET在低压功率应用中的应用,展示了其在各种领域和模块中的高性能和可靠性。