VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET产品简介:
VBsemi的1N80L-TA3-T-VB TO220是一款TO220封装的单通道N沟道MOSFET。该产品具有850V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS,±V),3.5V的阈值电压(Vth),2700mΩ的导通电阻(RDS(ON))@VGS=10V,以及4A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术。
1N80L-TA3-T-VB TO220详细参数说明:
- 封装:TO220
- 类型:单通道N沟道
- VDS(漏极-源极电压):850V
- VGS(栅极-源极电压):30V(±V)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 导通电阻(RDS(ON)):2700mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
产品应用领域和模块示例:
1. 电源逆变器:1N80L-TA3-T-VB TO220适用于电源逆变器中的功率开关电路,能够提供高效率的能量转换。
2. 高压电源管理:由于1N80L-TA3-T-VB TO220具有较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻,适用于高压电源管理模块中的功率开关电路。
3. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,1N80L-TA3-T-VB TO220可以用于功率开关电路,提高充电效率。
4. 工业高压电源:在工业控制系统中需要高电压和适中电流的应用中,1N80L-TA3-T-VB TO220可以提供稳定可靠的性能。
以上是关于VBsemi 1N80L-TA3-T-VB TO220 MOSFET的产品简介、详细参数说明以及在不同领域和模块中的应用示例。