04N80C3-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi的04N80C3-VB是一款TO220封装的单N沟道MOSFET。它具有800V的漏极-源极电压（VDS）、30V（±V）的门极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth）、在VGS=10V时的1300mΩ的导通电阻（RDS(ON)）、以及5A的漏极电流（ID）。该产品采用SJ_Multi-EPI工艺。

**产品简介：**
VBsemi的04N80C3-VB是一款高压、高性能的单N沟道MOSFET。它具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力，适用于要求高压、大电流的应用场合。

**详细参数说明：**
- 封装：TO220
- 类型：单N沟道
- 漏极-源极电压（VDS）：800V
- 门极-源极电压（VGS）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：1300mΩ @ VGS=10V
- 漏极电流（ID）：5A
- 工艺：SJ_Multi-EPI

**应用领域和模块示例：**
1. **电源模块**：04N80C3-VB适用于高压电源模块，如电动车充电器、工业电源等，具有较高的漏极电压容许值和较低的导通电阻。
2. **电动车**：在电动车的电动机驱动系统中，04N80C3-VB可用于控制器模块，提供稳定的功率输出。
3. **工业控制**：在工业控制领域，04N80C3-VB适用于高压电机控制器、功率逆变器等，具有高可靠性和耐压能力。
4. **照明系统**：在室外照明系统中，如街灯、广告灯箱等，04N80C3-VB可用于功率开关，具有稳定的性能和长寿命。
5. **太阳能逆变器**：在太阳能逆变器中，04N80C3-VB可用于高压、高效率的电能转换，适用于户外环境。

这些是04N80C3-VB的一些典型应用场景，但并不限于此，具体应用取决于设计要求和环境条件。