1N90L-TF3-T-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 1N90L-TF3-T-VB TO220F MOSFET产品简介：

1N90L-TF3-T-VB TO220F是一款单N沟道场效应管，具有950V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3.5V的阈值电压（Vth），5400mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及3A的漏极电流（ID）。采用了平面技术（Plannar Technology）。

详细参数说明：
- 封装：TO220F
- 类型：单N沟道（Single-N-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：950V
- VGS（栅极-源极电压）：30V（±V）
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- 导通电阻（RDS(ON)）：5400mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：3A
- 技术：平面技术（Plannar）

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：1N90L-TF3-T-VB TO220F适用于中功率电源模块，如开关电源和逆变器设计。
2. 工业控制：可用于工业控制系统中的功率开关电路和传感器接口设计。
3. 太阳能逆变器：在太阳能逆变器模块中，可以实现太阳能电池板的能量转换和管理。
4. 照明应用：适用于LED驱动器和照明系统，实现高效能量转换和亮度控制。

这些是1N90L-TF3-T-VB TO220F MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。