### 产品简介:
VBsemi的1N65L-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。它采用了Plannar技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为1700mΩ@VGS=10V,ID为2A,适用于一些低功率应用场合。
### 参数说明:
- **型号:** 1N65L-TF3-T-VB
- **包装:** TO220F
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON):** 1700mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 2A
- **技术:** Plannar
### 适用领域和模块:
由于1N65L-TF3-T-VB的低功率特性,适用于一些低功率场合,例如:
1. **LED照明控制:** 在LED照明控制电路中,可以使用1N65L-TF3-T-VB作为LED的开关元件,实现对LED灯的控制。
2. **低功率逆变器:** 对于低功率的逆变器,1N65L-TF3-T-VB可以提供可靠的开关控制。
3. **电动工具控制:** 在电动工具中,这款MOSFET可以用于电机驱动器,实现可靠的开关控制和低损耗。
这些是1N65L-TF3-T-VB MOSFET的一些应用领域示例,但由于其低功率特性,适用范围相对较窄,主要用于低功率电路中的开关控制。