2N7002BKT-VB一种N-Channel沟道SC75-3封装MOS管

### 产品简介

**2N7002BKT-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用SC75-3封装。这款MOSFET具有60V的漏源电压（VDS）和20V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为1.7V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为2000mΩ，在栅源电压为10V时为1200mΩ，最大漏极电流（ID）为0.33A。采用Trench技术，适用于低功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数                | 规格                    |
|--------------------|------------------------|
| 封装类型            | SC75-3                 |
| 配置                | 单N沟道                |
| 漏源电压（VDS）     | 60V                    |
| 栅源电压（VGS）     | 20V（±）                |
| 开启阈值电压（Vth） | 1.7V                   |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 2000mΩ@VGS=4.5V, 1200mΩ@10V |
| 最大漏极电流（ID）  | 0.33A                  |
| 技术                | Trench                 |

### 应用领域和模块

1. **模拟开关**：2N7002BKT-VB MOSFET适用于各种模拟开关应用，如音频信号开关、视频信号开关等。其低导通电阻和低开启阈值电压使其能够提供高品质的信号传输。

2. **电源管理**：在低功率电源管理电路中，这款MOSFET可以用作开关元件，如DC-DC转换器和稳压器。其高可靠性和稳定性使其成为电源管理领域的理想选择。

3. **传感器接口**：在各种传感器接口电路中，2N7002BKT-VB MOSFET可以用来控制传感器的供电和信号传输。其低功率特性和可靠性使其能够满足传感器接口电路对功耗和稳定性的要求。