### 产品简介
**型号:2SK1098-M-VB**
2SK1098-M-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用沟槽技术制造,具有低导通电阻和高电流能力。其设计旨在满足对效率和可靠性要求严格的现代电子设备,特别适用于高压高功率应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**:200V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 310mΩ @ VGS = 4.5V
- 270mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:10A
- **技术类型**:沟槽型(Trench)
### 应用领域和模块示例
**电源管理模块**:2SK1098-M-VB 可用于开关电源和DC-DC转换器中的主功率开关元件。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能电源模块中表现出色。
**工业电机驱动**:适用于工业电机驱动器中的功率开关,提供可靠的电机控制和高效能的能源管理。
**电动车充电桩**:在电动车充电桩中,该器件可用作电源开关,提供稳定的充电电流和高效的能源转换。
**太阳能逆变器**:在太阳能逆变器中,2SK1098-M-VB 可用作高压开关,提供高效能的能源转换和稳定的逆变控制。
**医疗设备**:在医疗设备中,如X射线机和医用超声仪,2SK1098-M-VB 可用作功率开关元件,提供稳定的电源控制和高效的能源转换。
这些应用示例展示了2SK1098-M-VB 的多功能性和在各类高压、高功率电路中的优越表现,是各种高性能电子设备中的理想选择。