2SK1021-VB一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK1021-VB 产品简介

2SK1021-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。它具有850V的漏极-源极电压（VDS）、30V（±V）的栅极-源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），采用Plannar技术，适用于各种功率管理和转换应用。

### 2SK1021-VB 详细参数说明

- **型号：2SK1021-VB**
- **封装：TO220**
- **极性：单N沟道**
- **漏源电压 (VDS)：850V**
- **栅源电压 (VGS)：±30V**
- **阈值电压 (Vth)：3.5V**
- **导通电阻 (RDS(ON))：2700mΩ @ VGS=10V**
- **漏极电流 (ID)：4A**
- **技术：Plannar**

### 适用领域和模块

1. **电源逆变器**
   - **应用实例**：2SK1021-VB 可用于高压逆变器中，如太阳能逆变器和工业逆变器，其高漏极电压和适中的漏源电流能力使其成为这些应用的理想选择。

2. **电动车充电器**
   - **应用实例**：在电动车充电器中，2SK1021-VB 可以用作开关元件，其高漏极电压和稳定的性能有助于提高充电器的效率和可靠性。

3. **电力电子**
   - **应用实例**：在需要承受高压和高温的电力电子系统中，2SK1021-VB 可以用作关键元件，确保系统在各种环境下稳定运行。

4. **工业控制**
   - **应用实例**：在工业控制系统中，2SK1021-VB 可以用作开关或保护元件，其高漏极电压和稳定的性能有助于提高系统的可靠性和稳定性。

通过这些应用实例，可以看出 2SK1021-VB 在各种领域中的广泛应用，展示了其在功率管理和转换领域中的重要性和实用性。