### 2SK1021-VB 产品简介
2SK1021-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220封装。它具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V(±V)的栅极-源极电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),采用Plannar技术,适用于各种功率管理和转换应用。
### 2SK1021-VB 详细参数说明
- **型号:2SK1021-VB**
- **封装:TO220**
- **极性:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):850V**
- **栅源电压 (VGS):±30V**
- **阈值电压 (Vth):3.5V**
- **导通电阻 (RDS(ON)):2700mΩ @ VGS=10V**
- **漏极电流 (ID):4A**
- **技术:Plannar**
### 适用领域和模块
1. **电源逆变器**
- **应用实例**:2SK1021-VB 可用于高压逆变器中,如太阳能逆变器和工业逆变器,其高漏极电压和适中的漏源电流能力使其成为这些应用的理想选择。
2. **电动车充电器**
- **应用实例**:在电动车充电器中,2SK1021-VB 可以用作开关元件,其高漏极电压和稳定的性能有助于提高充电器的效率和可靠性。
3. **电力电子**
- **应用实例**:在需要承受高压和高温的电力电子系统中,2SK1021-VB 可以用作关键元件,确保系统在各种环境下稳定运行。
4. **工业控制**
- **应用实例**:在工业控制系统中,2SK1021-VB 可以用作开关或保护元件,其高漏极电压和稳定的性能有助于提高系统的可靠性和稳定性。
通过这些应用实例,可以看出 2SK1021-VB 在各种领域中的广泛应用,展示了其在功率管理和转换领域中的重要性和实用性。