2SK1505-MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 2SK1505-MR-VB 产品简介

2SK1505-MR-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。它具有30V的漏极-源极电压(VDS)、20V(±V)的栅极-源极电压(VGS)、1.7V的阈值电压(Vth),采用Trench技术,适用于高功率应用。

### 2SK1505-MR-VB 详细参数说明

- **型号:2SK1505-MR-VB**
- **封装:TO220F**
- **极性:单N沟道**
- **漏源电压 (VDS):30V**
- **栅源电压 (VGS):±20V**
- **阈值电压 (Vth):1.7V**
- **导通电阻 (RDS(ON)):**
  - 2mΩ @ VGS=4.5V
  - 1mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID):68A**
- **技术:Trench**

### 适用领域和模块

1. **电源管理模块**
   - **应用实例**:由于2SK1505-MR-VB 具有极低的导通电阻和高漏极电流的特性,适合用于各种电源管理模块中,如DC-DC转换器和功率放大器,以提高模块的效率和性能。

2. **电动汽车驱动**
   - **应用实例**:在电动汽车驱动系统中,2SK1505-MR-VB 可以用作关键的开关元件,确保电动汽车的高效运行和稳定性。

3. **工业电机控制**
   - **应用实例**:在工业电机控制系统中,2SK1505-MR-VB 可以用于各种高功率开关电路,确保电机系统的稳定运行和高效能。

4. **服务器电源**
   - **应用实例**:在服务器电源系统中,2SK1505-MR-VB 可以用作高功率开关元件,确保服务器系统的高效能和稳定性。

通过这些应用实例,可以看出 2SK1505-MR-VB 在高功率电子设备和电路中的广泛应用,展示了其在功率管理和控制领域中的重要性和实用性。

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