2SK1819-01MR-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### 2SK1819-01MR-VB 产品简介

2SK1819-01MR-VB 是一款由 VBsemi 生产的单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高电压和中功率应用。该型号具有适中的导通电阻和电流容量，适用于多种电子设备和模块。其主要特点包括 650V 的漏源电压（VDS）、1100mΩ@VGS=10V 的导通电阻（RDS(ON)）、7A 的连续漏极电流（ID）以及 3.5V 的阈值电压（Vth）。这些特性使其适合用于开关电源（SMPS）、电池保护、电机驱动和逆变器等中功率应用场景。

### 详细参数说明

| 参数        | 数值                    | 单位 |
|-------------|-------------------------|------|
| 封装类型    | TO220F                  |      |
| 配置        | 单 N 沟道               |      |
| 漏源电压 (VDS) | 650                     | V    |
| 栅源电压 (VGS) | 30 (±)                 | V    |
| 阈值电压 (Vth)  | 3.5                     | V    |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V | 1100                    | mΩ   |
| 漏极电流 (ID)   | 7                       | A    |
| 技术        | 平面                    |      |

### 应用领域和模块示例

2SK1819-01MR-VB MOSFET 适用于多个领域和模块，主要包括以下几个方面：

1. **开关电源（SMPS）**：在中功率开关电源中，2SK1819-01MR-VB 的中等电压容量和导通电阻特性使其成为高效能的开关元件，有助于提高电源转换效率并减少功率损耗。

2. **电池保护**：在需要保护电池免受过电流和过电压的影响的电路中，该型号可以用作保护开关，确保电池处于安全状态。

3. **电机驱动**：由于其适中的电流容量，2SK1819-01MR-VB 可用于中功率电机驱动电路中的开关或调节器，提供稳定的电流输出。

4. **逆变器**：在中功率逆变器中，2SK1819-01MR-VB 的电压容量和导通电阻有助于提高系统的整体性能和可靠性。

这些示例展示了 2SK1819-01MR-VB 在中功率应用中的灵活性和实用性，使其成为许多设计师的理想选择。