2SK2517-01L,S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

2SK2517-01L,S-VB 是一款高功率、单N沟道MOSFET，采用TO263封装。其设计采用了Trench技术，具有高效的开关性能和低导通电阻，适用于各种高功率应用场景。该MOSFET具有60V的漏源电压（VDS），能够在较低的栅极电压下提供可靠的导通性能。其最大漏极电流（ID）为75A，栅源电压（VGS）为20V（±），门限电压（Vth）为1.7V。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2517-01L,S-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压（VDS）**: 60V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **门限电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 12mΩ @ VGS=4.5V, 11mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**: 75A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块

2SK2517-01L,S-VB MOSFET 具有高功率和高效的特性，适用于以下领域和模块：

1. **电源管理系统**：在需要高功率开关和稳定性能的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于工业电源、服务器电源和高功率电源供应器。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高效电源管理系统的理想选择。

2. **电机驱动**：在需要处理高功率的电机控制和驱动应用中，该MOSFET能够提供高效的开关和控制特性，适用于电动工具、电动汽车和其他高功率电机控制模块。其高电流处理能力和低导通电阻确保了电机驱动系统的可靠性和效率。

3. **电池管理**：用于高功率电池管理系统中的开关和保护电路，2SK2517-01L,S-VB能够提供可靠的高功率开关性能，适用于电动汽车、储能系统等领域。其高效的开关特性有助于提高电池管理系统的性能和寿命。

4. **电源逆变器**：在需要高功率逆变和稳定性能的应用中，该MOSFET能够提供可靠的开关性能，适用于太阳能逆变器、风能逆变器等领域。其高效率和低损耗特性使其成为高效能源转换系统的关键组件。

通过这些应用示例，可以看出2SK2517-01L,S-VB MOSFET 适用于需要高功率、高效开关特性的多种电子和工业应用场景。其优越的电气特性和可靠性使其成为各类高功率应用的理想选择。