2SK2688-01S-VB一款N-Channel沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介

2SK2688-01S-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO263封装。该器件具有优秀的导通特性和开关性能，适用于高电流和低电压的电子应用。漏极-源极电压（VDS）为30V，栅极-源极电压（VGS）为20V（±），门限电压（Vth）为1.7V。漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）为18mΩ@VGS=4.5V和12mΩ@VGS=10V。最大漏极电流（ID）为50A。

### 详细参数说明

- **型号**: 2SK2688-01S-VB
- **封装**: TO263
- **配置**: 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**: 30V
- **栅极-源极电压（VGS）**: ±20V
- **门限电压（Vth）**: 1.7V
- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）**: 18mΩ @ VGS=4.5V, 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**: 50A
- **技术**: Trench

### 应用领域及模块

2SK2688-01S-VB MOSFET 适用于高电流和低电压的电子应用，例如：

1. **电源管理**：用于高电流的开关电源、DC-DC转换器等电源管理应用中，能够提供高效的功率转换和稳定的性能。

2. **电机驱动**：适用于需要高电流控制的直流电机驱动器、步进电机驱动器等应用中，具有较低的导通电阻和良好的导通特性。

3. **照明应用**：可用于需要高功率和稳定性能的LED驱动器等照明应用中，能够提供可靠的功率开关和调光功能。

4. **汽车电子**：适用于汽车电子系统中的电源管理、马达驱动等模块，具有耐压能力和稳定性。

通过这些应用示例，可以看出2SK2688-01S-VB MOSFET 在高电流和低电压的电子应用中具有广泛的应用前景。