2SK2819-VB一款N-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SK2819-VB MOSFET 产品简介

2SK2819-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），封装形式为 TO252。该型号 MOSFET 具有低漏源电压和极低导通电阻的特性，适用于高性能电源管理和开关应用。

### 2SK2819-VB 详细参数说明

- **封装类型**：TO252
- **配置**：单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**：30V
- **栅源电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：9mΩ @ VGS = 4.5V, 7mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**：70A
- **技术类型**：Trench

### 适用领域和模块的应用举例

2SK2819-VB MOSFET 具有低漏源电压和极低导通电阻的优点，适用于需要高性能开关器件的领域和模块。以下是一些具体应用领域和模块示例：

1. **电源管理系统**：在高性能电源管理系统中，2SK2819-VB 可用作开关模式电源（SMPS）和逆变器的关键器件，实现高效、可靠的电能转换。
2. **电动工具**：在高功率电动工具中，该 MOSFET 可用于电机驱动电路，提供高效、可靠的电能转换和控制。
3. **电动车辆**：在电动车辆的动力电池管理系统中，2SK2819-VB 可用于功率开关器件，提供高效、稳定的电能管理。
4. **服务器电源模块**：用于制造高性能服务器电源模块，提供稳定、高效的电源输出。
5. **LED 照明驱动器**：在 LED 照明系统的高功率驱动器中，该 MOSFET 可用于开关电路，提供高效、可靠的电源控制。