一、该型号为VBsemi生产的P—Channel沟道场效应晶体管,丝印为2SJ517-VB,品牌为VBsemi。封装为SOT89-3。该产品具有-30V的漏极-源极电压(VDS),-5.8A的漏极电流(ID),在VGS=10V时的导通电阻(RDS(ON))为50mΩ,阈值电压(Vth)范围为-0.6V至-2V。
二、详细参数说明:
- 最大漏极-源极电压(VDS):-30V
- 最大漏极电流(ID):-5.8A
- 漏极-源极导通电阻(RDS(ON)):50mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压(Vth)范围:-0.6V至-2V
- 封装类型:SOT89-3
三、该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源管理模块:由于其负通道的特性,可用于负载开关和电源管理中的电源开关,如DC-DC转换器和稳压器。
2. 电池保护模块:在电池保护电路中,可以用作充放电控制开关,保护电池免受过电流或过压的损害。
3. 汽车电子模块:在汽车电子系统中,可用于驱动各种负载,如车灯、电动窗户和风扇等。
4. 工业控制模块:用于开关控制和电源管理,适用于工业自动化系统中的各种控制应用。
以上是该产品的一些主要特性和应用示例。