### 2SJ484-VB 产品简介
2SJ484-VB 是由 VBsemi 品牌生产的 P-Channel 沟道 MOSFET。该器件适用于多种电子应用,并具有可靠的性能和稳定的特性。其采用 SOT89-3 封装,适用于各种电路设计和应用场景。
### 2SJ484-VB 详细参数说明
- **丝印:** VBI2338
- **品牌:** VBsemi
- **参数:** P-Channel 沟道
- **最大漏极-源极电压 (V<sub>DS</sub>):** -30V
- **最大漏极电流 (I<sub>D</sub>):** -5.8A
- **导通时的漏极-源极电阻 (R<sub>DS(ON)</sub>):** 50mΩ @ V<sub>GS</sub> = 10V
- **栅极-源极电压 (V<sub>GS</sub>):** 20V
- **阈值电压 (V<sub>th</sub>):** -0.6V 至 -2V
- **封装:** SOT89-3
### 产品应用示例
2SJ484-VB 适用于以下领域和模块:
1. **电源管理模块:** 在电源管理电路中,2SJ484-VB 可以用作开关或负载驱动器,帮助稳定电源输出并提供电流保护。
2. **电流控制电路:** 由于其高效的电流控制能力,2SJ484-VB 可以应用于电流限制器、电流源和电流检测电路等。
3. **低压断路器:** 2SJ484-VB 在低压断路器中可以作为开关元件,用于控制电路的通断,以保护电路和设备免受过载电流的损害。
4. **汽车电子系统:** 作为汽车电子系统的一部分,2SJ484-VB 可以用于驱动电机、控制灯光系统,并在车辆电气系统中提供电流控制和电压稳定功能。
通过这些应用示例,可以看出 2SJ484-VB 在各种领域和模块中发挥着重要作用,为电子设备和系统提供可靠的性能和稳定的功能。