2SJ484-VB一款P—Channel沟道SOT89-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 2SJ484-VB 产品简介

2SJ484-VB 是由 VBsemi 品牌生产的 P-Channel 沟道 MOSFET。该器件适用于多种电子应用，并具有可靠的性能和稳定的特性。其采用 SOT89-3 封装，适用于各种电路设计和应用场景。

### 2SJ484-VB 详细参数说明

- **丝印：** VBI2338
- **品牌：** VBsemi
- **参数：** P-Channel 沟道
- **最大漏极-源极电压 (V_DS)：** -30V
- **最大漏极电流 (I_D)：** -5.8A
- **导通时的漏极-源极电阻 (R_DS(ON))：** 50mΩ @ V_GS = 10V
- **栅极-源极电压 (V_GS)：** 20V
- **阈值电压 (V_th)：** -0.6V 至 -2V
- **封装：** SOT89-3

### 产品应用示例

2SJ484-VB 适用于以下领域和模块：

1. **电源管理模块：** 在电源管理电路中，2SJ484-VB 可以用作开关或负载驱动器，帮助稳定电源输出并提供电流保护。
  
2. **电流控制电路：** 由于其高效的电流控制能力，2SJ484-VB 可以应用于电流限制器、电流源和电流检测电路等。
  
3. **低压断路器：** 2SJ484-VB 在低压断路器中可以作为开关元件，用于控制电路的通断，以保护电路和设备免受过载电流的损害。

4. **汽车电子系统：** 作为汽车电子系统的一部分，2SJ484-VB 可以用于驱动电机、控制灯光系统，并在车辆电气系统中提供电流控制和电压稳定功能。

通过这些应用示例，可以看出 2SJ484-VB 在各种领域和模块中发挥着重要作用，为电子设备和系统提供可靠的性能和稳定的功能。