型号:AM4424N-T1-PF-VB
丝印:VBA1311
品牌:VBsemi
参数:
- 封装类型:SOP8
- 沟道类型:N—Channel
- 最大漏电压(Vds):30V
- 最大漏极电流(Id):12A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):12mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):0.8~2.5V
封装:SOP8
应用简介:
AM4424N-T1-PF-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,适用于多种电路和模块设计,特别是在需要高性能N-Channel MOSFET的应用中。
领域模块应用:
1. **电源模块:** 适用于开关电源、电源逆变器等模块设计,能够提供高效的电能转换和稳定的电源输出。
2. **电机驱动模块:** 由于其高电流和低漏电压特性,可用于电机驱动和控制模块,提供可靠的电流输出和驱动性能。
3. **LED照明模块:** 在LED驱动电路中,AM4424N-T1-PF-VB可以用于开关电源设计,以实现高效的LED照明系统。
4. **电池保护模块:** 用于电池充放电管理电路,提供高效的电池管理和保护功能。
5. **高频功率放大模块:** 适用于高频功率放大器模块,如射频(RF)功率放大器等。
请注意,以上是一些典型的应用场景,实际使用时需根据具体电路和系统要求进行选择和设计。在集成AM4424N-T1-PF-VB时,建议仔细阅读其数据手册以获取详细的电特性和操作信息。