AP2304AN-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

本文介绍了VBsemi品牌AP2304AN-VB场效应晶体管,其具有30V额定电压、6.5A额定电流和低至30mΩ的开关电阻,适用于低电压/中电流应用,特别适合电源管理、电池管理和驱动器控制领域。
摘要由CSDN通过智能技术生成

AP2304AN-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管(FET),具有以下参数:

- 封装:SOT23
- 额定电压:30V
- 额定电流:6.5A
- 开关电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压:1.2~2.2V

**应用简介:**
AP2304AN-VB适用于需要N-Channel MOSFET的电路应用,特别是在低电压、中电流的情况下。由于其SOT23封装和低开关电阻,它在空间受限的应用中具有优势。

**主要特点:**
1. 高额定电流和低开关电阻,适用于高性能应用。
2. 低阈值电压,有助于实现低电压操作。
3. SOT23封装,适用于空间受限的设计。

**适用领域:**
该器件常见于以下领域和模块:

1. **电源管理模块:** 由于其低开关电阻和高额定电流,可用于设计稳压器和开关电源。

2. **电池管理系统:** 适用于移动设备和便携电子产品中,有助于实现高效的电池管理。

3. **驱动器和控制器:** 用于电机驱动、LED驱动等控制应用。

请注意,具体应用建议需根据实际设计要求和电路特性进行确认。

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