CEM4269-VB一款N+P—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: CEM4269-VB  
丝印: VBA5638  
品牌: VBsemi  
参数:
- N+P—Channel沟道
- 电压: ±60V
- 电流: 6.5A (N-Channel), -5A (P-Channel)
- RDS(ON): 28mΩ @ VGS=10V, 51mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): ±1.9V
封装: SOP8  

应用简介:  
CEM4269-VB是一款N+P—Channel沟道功率MOSFET，具有高电压承受能力和双通道设计，适用于多种复杂功率控制应用。

**领域和模块应用示例:**
1. **电动车充电桩**: 用于电动车充电桩中的功率开关和反向保护，提供高效的能量转换和可靠的电源控制，确保充电过程安全和高效。

2. **太阳能逆变器**: 适用于太阳能逆变器中的电流控制和电压转换，提供稳定的电源输出和高效的太阳能能量利用，促进清洁能源的应用和发展。

3. **电动工具**: 在电动工具中，用于电机驱动和电源管理，提供高功率输出和可靠的电流保护，适用于电动钻、电锤和电动锯等设备。

4. **医疗设备**: 在医疗设备中，用于电源控制和电流调节，提供稳定的电源输出和精确的电流控制，适用于医疗成像、手术器械和生命支持系统等设备。

5. **工业自动化**: 用于工业自动化系统中的电机控制和电源管理，提供可靠的功率开关和电流保护，适用于机器人、自动化生产线和物流设备等应用场景。

6. **无线通信基站**: 适用于功率放大器和电源控制模块，提供高效的功率转换和稳定的电源输出，适用于移动通信、卫星通信和物联网基站等场景。

CEM4269-VB的双通道设计和高性能特性使其成为各种领域复杂功率控制系统中的理想选择，推动着超智能时代的发展。